Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизм насыщения фототока и возникновения отрицательной дифференциальной фотопроводимости в гетеропереходах Мn₄Si₇-Si<Mn>-Мn₄Si₇ и Мn₄Si₇-Si<Mn>-М

Камилов Т.С., Клечковская В.В., Шарипов Б.З., Ивакин Г.И.¹

¹Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия Shubnikov Institute of Crystallography “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Shubnikov Institute of Crystallography “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Email: klechvv@ns.crys.ras.ru

Поступила в редакцию: 6 декабря 2011 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Работа посвящена установлению механизма насыщения фототока и возникновению отрицательной дифференциальной фотопроводимости (ФП) в гетеропереходах Мn₄Si₇-Si<Mn>-Мn₄Si₇ и Мn₄Si₇-Si<Mn>-М. Структуры Мn₄Si₇-Si<Mn>-Мn₄Si₇ и Мn₄Si₇-Si<Mn>-М исследованы с помощью модели встречно-включенных диодов. Измерены фотовольтамперные характеристики (ФВАХ) при постоянном и импульсном режимах высокого приложенного напряжения смещения. Установлено, что в гетеропереходах нелинейные особенности ФВАХ и кинетики ФП связаны с тепловым гашением фотопроводимости за счет самонагрева джоулевым теплом.

Шукурова Д.М., Орехов А.С., Шарипов Б.З., Клечковская В.В., Камилов Т.С. // ЖТФ. 2011. Т. 81. Вып. 10. С. 44--49
Kamilov T.S., Sadullaev B.L., Ganiev U.Sh., Kamilov B.T. // Semicond. Sci. Teсhnol. 1998. Vol. 13. P. 496
Kamilov T.S., Chirva V.P., Kabilov D.K. // Semicond. Sci. Tehnol. 1999. Vol. 14. P. 1012
Shukurova D.M., Kamilov T.S., Sharipov B.Z., Klechkovskaya V.V., Orekhov A.S., Feodorov M.I. // Abstracts of 29th Int. Conf. on Thermoelectrics. Shanghai (Chaina), 2010. P. 216
Шукурова Д.М., Камилов Т.С., Шарипов Б.З., Клечковская В.В., Орехов А.С. // Узбек. физич. журн. 2010. Т. 12 (3). С. 321
Бахадырханов М.К., Камилов Т.С., Хусанов А.Ж., Ивакин Г.И., Занавескина И.С. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2002. N 6. С. 100
Беляев А.Е., Басанец В.В., Болтовец Н.С., Зоренко А.В. и др. // ФТП. 2011. Т. 45. Вып. 2. С. 256--262
Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. / Под ред. А.Ф. Трутко. М.: Энергия, 1973
Полупроводниковые диоды. Параметры, методы измерений / Под ред. Н.Н. Горюнова, Ю.Р. Носова. М.: Советское радио, 1968

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель