"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Оптимизация пластической релаксации механических напряжений несоответствия в гетероструктурах GexSi1-x/Si(001) (x=<0.61)
Болховитянов Ю.Б.1, Дерябин А.С.1, Гутаковский А.К.1, Ревенко М.А.1, Соколов Л.В.1
1Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск Томский государственный университет, Томск
Email: sokolov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 19 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

-1 Методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии выращены пластически релаксированные гетероструктуры GexSi1-x/Si(001) (x=0.38/0.61) толщиной 600-750 nm. Для уменьшения общей толщины пленки использованы низкотемпературная эпитаксия и двухступенчатое изменение состава. Высокое качество структуры достигнуто за счет того, что для релаксации механических напряжений несоответствия между первой и второй ступенями использовались дислокации, прорастающие из первой ступени пленки.
  • Mooney P.M., Jordan-Sweet J.L., Chu J.O. et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 3642
  • Capewell A.D., Grasby T.J., Whall T.E. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. P. 4775
  • Samavedam S.B., Fitzgerald E.A. // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. P. 3108
  • Herzog H.-J., Hackbarth T., Hock G. et al. // Thin Solid Films. 2000. V. 380. P. 36
  • Болховитянов Ю.Б., Пчеляков О.П., Соколов Л.В. и др. // ФТП. 2003. Т. 37. В. 5. С. 513--538
  • Chen H., Guo L.W., Cui Q. et al. // J. Appl. Phys. 1996. V. 79. P. 1167
  • Linder K.K., Zhang F.C., Rieh J.-S. et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 70. P. 3224
  • Gaiduk P.I., Larsen A.N., Hansen J.L. // Thin Solid films. 2000. V. 367. P. 120
  • Боуен Д.К., Таннер Б.К. // Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография. С.-Петербург: Наука, 2002. 274 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.