Издателям
Вышедшие номера
Динамика носителей и вынужденные излучательные переходы терагерцeвого диапазона между уровнями Ландау в каскадных структурах из квантовых ям GаAs/AlGaAs
Теленков М.П.1,2, Митягин Ю.А.1, Карцев П.Ф.3
1Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва, Россия
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
3Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: maxim_telenkov@mail.ru
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.

Изучено распределение электронов по уровням Ландау в резонансно-туннельных структурах из квантовых ям GaAs/AlGaAs в условиях резонансно-туннельной накачки верхних подзон размерного квантования. Проведен численный расчет населенностей уровней Ландау в зависимости от скорости накачки (времени туннелирования), уровня легирования и напряженности магнитного поля. Продемонстрировано наличие инверсии населенности между первым уровнем Ландау первой подзоны и основным (нулевым) уровнем Ландау одной из верхних подзон в широкой непрерывной области магнитных полей. Исследовано влияние на распределение носителей различных механизмов рассеяния --- как двухчастичных (электрон-электронное рассеяние), так и одночастичных (рассеяние на акустических фононах и шероховатостях интерфейса). Найден способ преодоления запрета и достижения существенных значений дипольного матричного элемента для рассматриваемого инвертированного перехода. Работа выполнена при финансвой поддержке РФФИ (проекты N 08-02-92505-НЦНИЛ, 09-02-00671 и 12-02-00564), гранта Президента РФ для поддержки молодых ученых-кандидатов наук (N МК-916.2009.2), гранта НИТУ "МИСиС" N 3400022 и Федеральной целевой программы "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009--2013 гг.
  • М.П. Теленков, Ю.А. Митягин, П.Ф. Карцев. Письма в ЖЭТФ 92, 6, 444 (2010)
  • U. Ekenberg. Phys. Rev. B 40, 7714 (1989)
  • S. vZivanovic, V. Milanovic, Z. Ikonic. Rev. B 52, 8305 (1995)
  • A. Wacker. In: Theory of transport properties of semiconductor nanostructures / Ed. E. Scholl. Champman and Hall, London (1998)
  • A. Leuliet, A. Vasanelli, A. Wade, G. Fedorov, D. Smirnov, G. Bastard, C. Sirtori. Phys. Rev. B 73, 085 311 (2006)
  • R. Ferreira, G. Bastard. Phys. Rev. B 40, 1074 (1989)
  • М.П. Теленков, Ю.А. Митягин. ФТП 40, 5, 597 (2006)
  • F. Stern, W.E. Howard. Phys. Rev. 163, 816 (1967)
  • M.L. Leadbeater, F.W. Sheard, L. Eaves. Semicond. Sci. Technol. 6, 1021 (1991)
  • Y.G. Gobato, J.M. Berrior, Y. Guldner, Y. Guldner, J.P. Vieren, F. Cgevior, B. Vinter. Phys. Rev. B 44, 13 795 (1991)
  • J. Hu, A.H. McDonald. Phys. Rev. B 46, 12 554 (1992)
  • Y.G. Gobato, J.M. Berrior, Y. Guldner, G. Gobato, J.M. Berrior, Y. Guldner, J.P. Vieren, F. Chevoir, B. Vinter. J. Phys.: Cond. Matter 5, A365 (1993)
  • S.K. Lyo. Phys. Rev. B 57, 9114 (1998)
  • М.П. Теленков, Ю.А. Митягин. ЖЭТФ 130, 3, 491 (2006)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.