Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние состава кристаллов TlGa1-xErxSe2 на их диэлектрические характеристики и параметры локализованных состояний
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан 
2Институт химических проблем НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт химических проблем НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: solmust@gmail.com
Поступила в редакцию: 13 мая 2013 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.
В кристаллах TlGa1-xErxSe2 различного состава изучены частотные зависимости действительной (varepsilon') и мнимой (varepsilon'') составляющих комплексной диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь (tgdelta) и ac-проводимости (sigmaac) в области частот f=5· 104-3.5· 107 Hz. Установлено, что в изученных кристаллах имеет место релаксационная дисперсия varepsilon' и varepsilon''. Изучено влияние содержания эрбия в кристаллах на их диэлектрические коэффициенты. В области высоких частот ac-проводимость монокристаллов TlGa1-xErxSe2 подчинялась закономерности sigmaac~ f0.8, характерной для прыжкового механизма переноса заряда по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Оценены параметры локализованных в запрещенной зоне TlGa1-xErxSe2 состояний, а также влияние состава кристаллов на эти параметры.
- С.Н. Мустафаева, В.А. Алиев, М.М. Асадов. ФТТ 40, 1, 48 (1998)
- S.N. Mustafaeva, A.I. Hasanov. Power Eng. Probl. 1, 101 (2005)
- С.Н. Мустафаева. Журнал радиоэлектроники 5, 11 (2008)
- А.У. Шелег, К.В. Иодковская, Н.Ф. Курилович. ФТТ 40, 7, 1328 (1998)
- С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов. Прикладная физика 3, 19 (2012)
- С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов. Hеорган. материалы 33, 7, 790 (1997)
- С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова, Н.З. Гасанов. ФТП 32, 2, 145 (1998)
- S.N. Mustafaeva, V.A. Ramazanzade, M.M. Asadov. Mater. Chem. Phys. 40, 2, 142 (1995)
- С.Н. Мустафаева, А.И. Гасанов. ФТТ 46, 11, 1937 (2004)
- С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, С.Б. Кязимов, Н.З. Гасанов. Неорган. материалы 48, 10, 1110 (2012)
- В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. Материалы электронной техники. Высш. шк., М. (1986). 368 с
- N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic processes in non-crystalline materials. Clarendon, Oxford (1971). [Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1974). 472 c.]
- С.Н. Мустафаева. Неорган. материалы 30, 5, 619 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
