Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Арсенид-галлиевые p-i-n-структуры для детекторов рентгеновского излучения на германиевых и арсенид-галлиевых подложках
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: zhilyaev@jyuv.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 14 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.
Рассмотрены особенности создания арсенид-галлиевых p-i-n-структур на германиевой подложке. Определены режимы роста методом ХГФЭ, позволяющие получить p-i-n-структуры высокого качества с электрофизическими характеристиками, близкими к аналогичным при гомоэпитаксии. Исследованы спектры экситонной фотолюминесценции при разных толщинах ультрачистого слоя GaAs и при разных условиях роста.
- Дворянкин В.Ф., Дворянкина Г.Г., Дикаев Ю.М. и др. // ЖТФ. 2007. Т. 77. В. 10. С. 121--124
- Fedorov L.M., Mikulik D.I., Orlova T.A., Panteleev N.K., Poletaev N.A., Snytkina C.A., Zhilyaev Yu.V. // Physics: Conference Series. 2011. V. 291. P. 012051
- Modak P., Hudait M., Hardikar S. // Cryst. Growth. 1998. V. 193. P. 501
- Li W., Laaksonen S., Haapamaa J. // J. Cryst. Growth. 2001. V. 227--228. P. 104
- Zhilyaev Yu.V., Poletaev N.K., Bitnaryauk V.M., Orlova T.A., Fedorov L.M., Yusupova Sh.A., Owens A., Bavdaz M., Peacock A., O'Meara B., Helava H. // Phys. Stat. Sol. 2003. V. 0(3). P. 1024--1027
- Sequoia S.A., Stillman G.E., Wolf C.M. // Thin Solid films. 1976. V. 31. P. 69
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
