"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние контактов металл-сегнетоэлектрик на формирование объемного заряда в сегнетоэлектрических тонкопленочных конденсаторах
Козырев А.Б.1, Гайдуков М.М.1, Гагарин А.Г.1, Алтынников А.Г.1, Разумов С.В.1, Тумаркин А.В.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ)
Email: mcl@eltech.ru
Поступила в редакцию: 5 февраля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2009 г.

Проведены исследования быстродействия конденсаторных структур на основе пленки Ba0.3Sr0.7TiO3 (BSTO) с различными условиями изготовления контакта металл-сегнетоэлектрик. Обнаружены пороговые напряжения возникновения остаточного объемного заряда. На основе сопоставления технологических особенностей формирования контактов и экспериментальных данных сделан вывод о возможности подавления инжекции носителей заряда в сегнетоэлектрическую пленку путем формирования контактов конденсатора Pt-BSTO в кислородной атмосфере. PACS: 77.55.+f, 84.32.-y, 84.32.Tt, 84.40.-x
  • Kozyrev A.B., Samoilova T.B., Golovkov A.A. et al. // J. Appl. Phys. 1998. V. 84. Is. 6. P. 3326--3332
  • Дедык А.И., Тер-Мартиросян Л.Т. // ФТТ. 1997. Т. 39. В. 2. С. 349--352 ( Dedyk A.I., Ter-Martirosyan L.T. // Physics Solid State. 1998. V. 39. N 2. P. 305--307)
  • Дедык А.И., Тер-Мартиросян Л.Т. // ФТТ. 1998. Т. 40. В. 2. С. 245--247 ( Dedyk A.I., Ter-Martirosyan L.T. // Physics Solid State. 1998. V. 40. N 2. P. 220--222)
  • Boikov Yu.A., Goltsman B.M., Yarmarkin V.K., Lemanov V.V. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. Is. 24. P. 3866--3868
  • Козырев А.Б., Солдатенков О.И., Иванов А.В. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. В. 19. С. 19--25 ( Kozyrev A.B., Soldatenkov O.I., Ivanov A.V. // Technical Physics Letters. 1998. V. 24. N 10. P. 755--757)
  • Вендик О.Г., Зубко С.П., Никольский М.А. // ЖТФ. 1999. Т. 69. В. 4. С. 1--7 ( Vendik O.G., Zubko S.P., Nikol'skii M.A. // Tech. Phys. 1999. V. 44. N 4. P. 349--355)
  • Прудан А.М., Гольман Е.К., Козырев А.Б. и др. // ФТТ. 1998. Т. 40. В. 8. С. 1473--1478 ( Prudan А.М., Gol'man E.K., Kozyrev A.B. et al. // Physics Solid State. 1998. V. 40. N 8. P. 1339--1343)
  • Гайдуков М.М., Гагарин А.Г., Козырев А.Б., Разумов С.В., Тумаркин А.В., Алтынников А.Г. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34. В. 13. С. 50--55 ( Gaidukov M.M., Gagarin A.G., Kozyrev A.B. et al. // Tech. Phys. Lett. 2008. V. 34. N 7. P. 565--567)
  • Razumov S.V., Tumarkin A.V., Gaidukov M.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. N 9. P. 1675--1677
  • Козырев А.Б., Гайдуков М.М., Гагарин А.Г., Алтынников А.Г. // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии: Материалы 16-й Междунар. конф. "КрымМиКо'2006". Севастополь, 10--14 сент. 2006 г. Севастополь, 2006. С. 778--779 ( Kozyrev A.B., Gaidykov M.M., Gagarin A.G., Altynnikov A.G. // Microwave and Telecommunication Technology: Proceedings on 16th International Crimean Conference, CriMiCO'06. 2006)
  • Handbook of Chemistry and Physics / Editor-in-Chief: David R. Lide; CRC Press. 2007. 2640 с
  • Nowotny J., Rekas M. // Cer. Int. 1994. V. 20. Is. 4. P. 251--255
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.