Издателям
Вышедшие номера
Механизм формирования сульфидного пассивирующего покрытия на поверхности полупроводников A3B5
Бессолов В.Н., Лебедев М.В., Новиков Е.Б.
Выставление онлайн: 17 февраля 1993 г.

Предложена феноменологическая модель, описывающая сульфидную пассивацию поверхности полупроводников AIIIBV с точки зрения процессов переноса зарядов между полупроводником и пассивирующим раствором. Модель основана на том, что образование сульфидного пассивирующего покрытия происходит в процессе фотоэлектрохимической реакции, в ходе которой полупроводник окисляется, причем скорость образования пассивирующего покрытия определяется скоростью выхода электронов из полупроводника в раствор, а также энергией связи атомов в приповерхностном слое полупроводника и теплотой образования сульфидного покрытия. Показано, что скорость образования пассивирующего покрытия зависит от типа проводимости и уровня легирования полупроводника, концентрации и водородного показателя раствора, а также интенсивности света, падающего на границу раздела полгу проводник/электролит. В рамках модели рассмотрена пассивация различных соединений типа AIIIBV.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.