Влияние температурной обработки на состояние примесных дефектов в кристаллах LiF
Беззубов М.А.1, Алексеев П.Д.1
1Омский государственный университет
Поступила в редакцию: 13 октября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.
- Алексеев П.Д. Тез. докл. Всес. научн. конф. "Физика диэлектриков". Секция спектроскопия диэлектриков. Баку, АзПИ, 1982. С. 66--67
- Ботоки А.А., Воробьев А.А., Ульянов В.Л. Радиационная физика ионных кристаллов. М.: Атомиздат, 1980. С. 208
- Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. С. 792
- Фольгер И. Диэлектрическая спектроскопия: Пер. с англ. В.А.Иоффе / Под ред. Г.А.Смоленского. М.: ИЛ, 1960. С. 385--389
- Лущик Ч.Б., Лущик А.Ч. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. М.: Наука, 1989. С. 264
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук