Издателям
Вышедшие номера
Релаксация носителей заряда на парах магнитных ионов в полумагнитных квантовых ямах
Кавокин К.В.1, Меркулов И.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 31 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.

Для квантовых ям на основе полумагнитных полупроводников построено теоретическое описание обменного рассеяния носителей заряда на антиферромагнитно упорядоченных парах ионов магнитных примесей. Показано, что это рассеяние может носить как упругий, так и неупругий характер. Упругое рассеяние исчезает при низких температурах, когда полный момент пары обращается в нуль. Вероятность неупругого рассеяния на паре в этом состоянии остается конечной и быстро увеличивается по мере уменьшения ширины квантовой ямы. Для достаточно узких ям вероятность рассеяния на парах сравнивается с вероятностью испускания акустического фонона.
  • Вихнин В.С., Дейген М.Ф., Семенов Ю.Г., Шанина В.Д. ФТТ. 1976. Т. 18. N 8. С. 2222
  • Семенов Ю.Г. ФТТ. 1980. Т. 22. N 10. С. 3390
  • Семенов Ю.Г., Халфин И.Б. ФТП. 1987. Т. 21. N 11. С. 2056
  • Shapira Y., Forner S., Ridley D.H., Dwight K., Wold A. Phys. Rev. B. 1984. V. 30. N 7. P. 4021
  • GaJ J.A., Planel R., Fishman G. Solid State Commun. 1974. V. 29. P. 435
  • Bastard G. Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures (Les Editions de Physique, Les Ulis), 1988
  • Вонсовский С.В. Магнетизм. М.: Наука, 1971
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.