Издателям
Вышедшие номера
Фоторефракция в кристаллах с нестационарным фотовольтаическим током
Волк Т.Р.1, Астафьев С.Б.1, Разумовский Н.В.1
1Институт кристаллографии РАН, Москва
Поступила в редакцию: 29 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.

Рассмотрено влияние нестационарных компонент фотовольтаического тока, обусловленных нестационарностью концентрации фотовольтаических центров, на фоторефрактивные свойства кристаллов LiNbO3. Получены аналитические выражения, описывающие влияние нестационарных фотовольтаических токов на кинетику записи и оптического стирания фоторефракции. Исследования фоторефракции в облученных кристаллах LiNbO3:Fe иллюстрируют влияние спадающих фотовольтаических токов, обусловленных распадом радиационно-индуцированных фотовольтаических центров, на кинетику фоторефракции. Рассмотрена возможность возникновения нестационарных фотовольтаических токов в кристаллах с многоуровневой схемой переноса заряда. На примере LiNbO3 показано, что присутствие ''вторичного'' нефотовольтаического центра может привести к значительному изменению концентрации Fe2+ при освещении за счет перезаполнения (''оптической перезарядки'') уровней, т.е. к появлению нестационарной компоненты фотовольтаического тока в начальный момент освещения. Эта компонента приведет к появлению особенностей фоторефракции (действительно, наблюдаемых в некоторых кристаллах), сходных с зависимостями, полученными в облученных кристаллах. С этих позиций обсуждается эффект влияния длительности импульса записывающего света на фоторефракцию в LiNbO3.
  • Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М. (1981), 736 с. (Lines M.E., Glass A.M. Principles and Applications of Ferroelectrics and Related Materials. Oxford, (1977)
  • Волк Т.Р., Шрамченко С.А., Шувалов Л.А., Фридкин В.М. ФТТ \bf 27, \it 8, 2334 (1985)
  • Volk T.R., Ivanov M.A., Meilman M.L., Rubinina N.M., Shuvalov L.A. Ferroelectrics \bf 68, 325 (1986)
  • Brody D., Kagan D., Raguin D., Psaltis D. Proc of Top. Meet. on Photorefr. Mater., Effects and Devices 2. Assoix (1990). P. 101
  • Valley G.C. Appl. Opt. 22, 20, 3160 (1983)
  • Brost G.A., Motes R.A., Rotge J.R. JOSA B \bf 5, \it 9, 1879 (1988)
  • Holtmann L. Phys. Stat. Sol (a) 113, K89 (1989)
  • Кухтарев Н.В. Письма в ЖТФ 2, 438 (1976)
  • E. Kraetzig E., Orlowski R. Ferroelectrics \bf 27, 241 (1980)
  • Рывкин С.М. Фотоэлектрические процессы в полупроводниках. М. (1963). 496 с
  • Amodei J.J. RCA Rev. 32, 185 (1971)
  • Волк Т.Р., Шрамченко С.А., Шувалов Л.А. ФТТ \bf 26, \it 12, 3548 (1984)
  • Волк Т.Р., Иванов М.А., Мейльман М.Л., Рубинина Н.М. ФТТ \bf 29, \it 8, 871 (1987)
  • Волк Т.Р., Рубинина Н.М. ФТТ \bf 33, \it 4, 1192 (1991)
  • Glass A.M., Peterson G.E., Negran T.J. N.B.S. Spec. Publication N 372 on Laser Induced Damage in Optical Materials, Boulder CO (1972), P. 15--26
  • Staebler D.L., Phillips E. Appl. Opt. \bf 13, 788 (1974)
  • Cudney R.S., Pierce R.M., Bacher G.D., Feinberg J. JOSA B \bf 9, \it 9, 1704 (1992)
  • Канаев И.Ф., Малиновский В.К., Пугачев А.М. ФТТ \bf 27, \it 6, 1772 (1985)
  • Che-Tsung Chen, Dae. M. Kim, von der Linde D. Appl. Phys. Lett. \bf 34, 321 (1979)
  • Jermann F., Kraetzig E. Appl. Phys. A55, 114 (1992)
  • Orlovski R., Kraetzig E. Solid State Commun. \bf 27, 1351 (1978)
  • Ye Ming, Kraetzig E., Orlovski R. Phys. Stat. Sol. (a) \bf 92, 221 (1985)
  • Jermann F., Otten J. JOSA B 10, 2085 (1993)
  • Volk T.R., Rubinina N.M., Woehlecke M. JOSA B \bf 11, \it 9 (1994)
  • Abrahams S.C., Marsh P. Acta Cryst. B42, 61 (1986)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.