Фотоиндуцированное поглощение света в твердом растворе Cd 0.65Mn 0.35Te с высокой концентрацией дефектов
Агекян В.Ф.1, Серов А.Ю.1, Степанов Ю.А.1, Лай Ле Тхай1
1НИИ физики Санкт-Петербургского государственного университета
Поступила в редакцию: 31 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.
Исследована кинетика фотопоглощения в кристаллах Cd0.65Mn0.35Te с высоким содержанием дефектов при температуре 77 K. Наблюдаемые изменения поглощения при подзонной (hnu=1.96 eV) и инфракрасной (hnu=0.36 eV) подсветках объясняются воздействием на край поглощения случайных электрических полей, возникающих при перезарядке примесных центров.
- Кочкаев С.К., Копаранова И.С., Георгиев М. Квантовая электрон. \bf 4, \it 4, 857 (1977)
- Вартанян Э.С., Овсепян Р.К., Погосян А.Р. Кристаллография \bf 35, \it 4, 900 (1990)
- Tajima M., Saito H., Ino T., Isida K. Jap. J. Appl. Phys. \bf 27, \it 1. P. 2, L101 (1988)
- Агекян В.Ф., Фан Зунг. ФТТ 27, 4, 1216 (1985)
- Goede O., Heimbrodt W. Phys. Stat. Sol. (b) \bf 146, \it 1, 11 (1988)
- Manasrek M.O., Fischer P.W., Mitchel W.C. Phys. Stat. Sol. (b) \bf 154, \it 1, 11 (1989)
- Вавилов В.С. Действие излучения на полупроводники (1963), С. 28
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук