"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Свойства лавинных фотодиодов на основе гетероперехода Si--TiO2
Болтаев А.П.1, Бурбаев Т.М.1, Калюжная Г.А.1, Курбатов В.А.1, Осина Т.И.1, Соловьев Н.Н.1
1Физический институт им. П.Н.Лебедева Российской академии наук,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 24 сентября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

Исследованы характеристики лавинных фотодиодов типа p-Si--TiO2 с высокой концентрацией вакансий кислорода в слое TiO2. Измерения фоточувствительности и шума фотодиодов показали, что в отличие от гомопереходных лавинных фотодиодов они позволяют сочетать очень высокое значение коэффициента умножения фотосигнала M=7· 104 с относительно небольшой величиной коэффициента шума F=25.
  • А.Г. Гасанов, В.М. Головин, З.Я. Садыгов, Н.Ю. Юсипов. Письма ЖТФ, 14, 706 (1988)
  • А.Я. Вуль, А.Т. Дидейкин, А.И. Косарев. Письма ЖТФ, 16, 15 (1990)
  • Т.М. Бурбаев, Г.А. Калюжная, В.А. Курбатов, А.В. Леонов, Т.И. Осина, Н.Н. Сентюрина, А.Ф. Плотников. Кр. сообщ. по физике ФИАН, N 6, 6 (1990)
  • Т.М. Бурбаев, В.В. Кравченко, В.А. Курбатов, В.Э. Шубин. Кр. сообщ. по физике ФИАН, N 4, 19 (1990)
  • D.C. Cronemeyer. Phys. Rev., 87, 876 (1952)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.