"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фототок в структуре AlGaAs/GaAs с затвором Шоттки, содержащей одиночную квантовую яму
Жоховец С.В.1, Гольдхан Р.2, Гобш Г.2, Штайн Н.2, Чемберлен Д.М.3, Ченг Т.С.3, Хенини М.3
1Белорусская государственная политехническая академия,, Минск, Беларусь
2Institut f. Physik, TU Ilmenau, PSF 327, Ilmenau, FRG
3Physics Dept., Nottingham University, Nottingham NG7 2RD, UK
Поступила в редакцию: 17 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

Изучен фототок в структуре AlGaAs/GaAs с затвором Шоттки, содержащей одиночную квантовую яму шириной 5.1 нм. При больших отрицательных смещениях затвора влияние квантовой ямы обусловлено увеличением коэффициента отражения структуры в области оптических переходов между подзонами дырок и электронов, вследствие чего фототок уменьшается. При небольших положительных смещениях и низких температурах доминирующим механизмом фототока является изменение пространственного заряда. Квантовая яма существенно уменьшает амплитуду и изменяет электрическую фазу фототока вследствие поглощения света и туннелирования носителей заряда в прилегающие области барьеров AlGaAs. При T>200 K поглощение света квантовой ямой и последующая термическая эмиссия носителей заряда ведут к значительному увеличению фототока. Механизм вертикального транспорта связан с термоэмиссией электронов из квантовой ямы и буферного слоя GaAs в барьеры AlGaAs и наличием в барьерах ловушек типа DX-центров. Приведены данные о влиянии на фототок аккумуляции носителей заряда и интерференции света.
  • S. Schmitt--Rink, D.S. Chemla, D.A.B. Miller. Adv. Phys., 38, 89 (1989)
  • G. Livescu, D.A.B. Miller, D.S. Chemla, M. Ramaswamy, T.Y. Chang, N. Sauer, A.C. Gossard, J.H. English. IEEE J. Quant. Electron., QE-24, 1677 (1988)
  • S.R. Andrews, A.S. Plaut, R.T. Harley, T.M. Kerr. Phys. Rev. B, 41, 5040 (1990)
  • T.A. Fischer, P.E. Simmonds, M.S. Skolnick, R.S. Smith. Phys. Rev. B, 48, 14253 (1993)
  • G. Gumbs, D. Huang, Y. Yin, H. Qiang, D. Yan, F.H. Pollak, T.F. Noble. Phys. Rev. B, 48, 18328 (1993)
  • D.A.B. Miller, D.S. Chemla, T.C. Damen, A.C. Gossard, W. Wigmann, T.H. Wood, C.A. Burrus. Phys. Rev. B, 32, 1043 (1985)
  • W. Chen, T.G. Andersson. Semicond. Sci. Technol., 7, 828 (1992)
  • A.M. Fox, R.G. Ispasoiu, C.T. Foxon, J.F. Cunningham, W.Y. Jan. Appl. Phys. Lett., 63, 2917 (1993)
  • R. Goldhahn, G. Gobsch, S. Shokhovets, J.M. Chamberlain, T.S. Cheng, M. Henini. Proc. SPIE, 2139, 2 (1994)
  • D.E. Aspnes, S.M. Kelso, R.A. Logan, R. Bhat. J. Appl. Phys., 60, 754 (1986)
  • A.J. Shields, P.C. Klipstein. Phys. Rev. B, 43, 9118 (1991)
  • X.L. Zheng, D. Heiman, B. Lax, F.A. Chambers. Appl. Phys. Lett., 52, 287 (1988)
  • D. Boffety, J. Leymarie, A. Vasson, A.-M. Vasson, C.A. Bates, J.M. Chamberlain, J.L. Dunn, M. Henini, O.H. Hughes. Semicond. Sci. Technol., 8, 1408 (1993)
  • D.V. Lang, R.A. Logan, M. Jaros. Phys. Rev. B, 19, 1015 (1979)
  • J.Y. Chi, R.P. Holstrom, J.P. Salerno. IEEE Electron Dev. Lett., EDL-5. 381 (1984)
  • J. Klem, W.T. Masselink, D. Arnold, R. Fischer, T.J. Drummond, H. Morkoc, K. Lee, M.S. Shur. J. Appl. Phys., 54, 5214 (1983)
  • D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 39, 10063 (1989)
  • A.J. Valois, G.Y. Robinson, K. Lee, M.S. Shur. J. Vac. Sci. Technol. B, 1, 190 (1983)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.