"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Захват носителей в квантовые ямы и их термический выброс в полупроводниках A IIIB V
Соловьев С.А.1, Яссиевич И.Н.1, Чистяков В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

Изучаются процессы захвата и выброса неравновесных носителей заряда в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами, релаксация по энергии в которых определяется испусканием продольных оптических фононов. Численный расчет скоростей захвата электронов и дырок квантовыми ямами и анализ эффективного времени жизни носителей в барьерном слое проведены для гетероструктур в системе Al0.3Ga0.7As/GaAs.
  • J.Y. Tang, K. Hess, N.Jr. Holonyak, J.J. Coleman, P.D. Dapkus. J. Appl. Phys., 53, 6043 (1982)
  • С.В. Козырев, А.Я. Шик. ФТП, 19, 1667 (1985)
  • J.A. Brum, G. Bastard. Phys. Rev. B, 33, 1420 (1986)
  • M. Babiker, B.K. Ridley. Superlatt. Microstruct., 2, 287 (1986)
  • A. Fujiwara, S. Fukatsu, Y. Shiraki, R. Ho. Surf. Sci., 263, 642 (1992)
  • P.W.M. Blow, C. Smit, J.E.M. Haverkort, J.H. Wolter. Phys. Rev. B, 47, 2072 (1993)
  • I.N. Yassievich, K. Schmalz, M. Beer. Semicond. Sci. Technol., 9, 1763 (1994)
  • V.N. Abakumov, V.I. Perel, I.N. Yassievich. \it Nonradiative Recombination in Semiconductor (Amsterdam, 1991)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.