"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Глубокие центры в фотодиодах, полученных на основе In xGa1- xAs/InP методом газовой эпитаксии из металл-органических соединений
Торчинская Т.В.1, Кушниренко В.И.1, Щербина Б.В.1, Майнер К.2
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
2Bell-Northen Research, Оттава, Канада
Поступила в редакцию: 18 августа 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.
В настоящей работе методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней исследовались глубокие центры в эпитаксиальных слоях In0.53Ga0.47As, выращенных методом металл-органической химической газовой эпитаксии. В области простравнственного заряда InxGa1-xAs/InP p-i-n-фотодиодов, изготовленных на основе указанных выше слоев, обнаружены три типа ловушек для основных носителей --- электронов с энергиями Ec --- 0.12, Ec --- 0.30, Ec --- 0.38 эВ. Последнее две ловушки являются центрами безызлучательной рекомбинации. Обсуждается связь величины обратного тока фотодиодов с присутствием в области пространственного заряда одного из обнаруженных центров.
  • L.P. Tilly, H.G. Grimmeiss, P.O. Hansson. Phys. Rev. B, 47, 1249 (1993)
  • E. Towe. J. Appl. Phys., 53, 5136 (1982)
  • M. Gallant, N. Puetz, A. Zemel, F.R. Sheferd. Appl. Phys. Lett., 52, 733 (1988)
  • A. Salodatve, M. Hovinen. J. Appl. Phys., 67, 3378 (1990)
  • В.Я. Принц, О.М. Орлов, Е.М. Скок. А.с. СССР N 573782 (1977). [Бюл. изобретат., No 35 (1977)]
  • Т.В. Торчинская, А.А. Шматов, В.И. Строчков, М.К. Шейнкман. ФТП, 20, 701 (1986)
  • И.Н. Белокурова, О.В. Третяк, С.И. Шаховцова, М.М. Шварц, А.А. Шматов. ФТП, 23, 1869 (1989)
  • A. Mircea, A. Mitonneau, J. Hallais, M. Jaros. Phys. Rev. B, 16, 3665 (1977)
  • L.H. Peng, T.P.E. Broekaert, W.Y. Choi, B.R. Bennett, J.H. Smet, V. Diadiuk, S.H. Groves, S.C. Palmateer, N. Pan, C.G. Fonstad. J. Appl. Phys., 72, 3664 (1992)
  • G.P. Watson, D.G. Ast, T.J. Anderson, B. Pathangey, Y. Hayakawa. J. Appl. Phys., 71, 3399 (1992)
  • M. Skowronski, J. Lagowski, M. Milshtein, C.H. Kang, F.P. Dabowski, A. Hennel, H.C. Gatos. J. Appl. Phys., 62, 3791 (1987)
  • P. Ishida, K. Maeda, S. Takeuchi. J. Appl. Phys., 21., 257 (1980)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.