Издателям
Вышедшие номера
Краевая электролюминесценция монокристаллического кремния при температуре 80 K: структуры на основе высокоэффективного солнечного элемента
Емельянов А.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Emelyanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

В широком диапазоне импульсных токов при температуре 80 K исследованы спектральные, кинетические и мощностные характеристики краевой электролюминесценции кремниевых светодоидов с излучающей площадью 0.055 cm2, полученных путем резки высокоэффективного солнечного элемента. В отличие от ряда исследованных ранее и менее эффективных кремниевых светодиодов внешняя квантовая эффективность при фиксированном токе была выше при 80 K, чем при 300 K, и достигала максимальной величины около 0.4%. Несмотря на проявление механизма Оже-рекомбинации, при импульсном токе 12 A достигнута рекордная мощность излучения с единицы площади P=0.2 W/cm2. Показано, что достижение этой рекордной величины в значительной мере связано с изменением механизма излучательной рекомбинации при больших токах. Анализируются условия перехода от люминесценции свободных экситонов к люминесценции электронно-дырочной плазмы. Работа была частично поддержана РФФИ (грант N 04-02-16935). PACS: 78.60.Fi, 78.60.-b, 78.55.Ap
  • M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, P.J. Reece, M. Gal. Nature 412, 805 (2001)
  • А.М. Емельянов, Н.А. Соболев. ФТП 42, 336 (2008)
  • А.М. Емельянов, Н.А. Соболев, Т.М. Мельникова, S. Pizzini. ФТП 37, 756 (2003)
  • А.М. Емельянов, Н.А. Соболев, Е.И. Шек. ФТТ 46, 44 (2004)
  • N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, E.I. Shek, V.I. Vdovin. Physika B 340--342, 1031 (2003)
  • Wai Lek Ng, M.A. Lourenco, R.M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, K.P. Homemood. Nature 410, 192 (2001)
  • М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.П. Захарченя, И.Н. Яссиевич. ФТТ 46, 10 (2004)
  • М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Е.И. Теруков, A. Froitzheim, W. Fuhs. ФТТ 46, 18 (2004)
  • В.С. Вавилов, Э.Л. Нолле. ФТП 2, 742 (1968)
  • В.С. Вавилов, Э.Л. Нолле. В сб.: Экситоны в полупроводниках / Под ред. Б.М. Вула. Наука, М. (1971). С. 125
  • А.М. Емельянов. Письма ЖТФ 30, 75 (2004)
  • A.V. Sachenko, Yu.A. Kruchenko. Semiconductor Physics. Quantum Electronics \& Optoelectronics 3, 150 (2000)
  • D.E. Kane, R.M. Swanson. J. Appl. Phys. 73, 1193 (1993)
  • Jagdeep Shah, M. Combescot, A.H. Dayem. Phys. Rev. Lett. 38, 1497 (1977)
  • G. Norris, K.K. Bajaj. Phys. Rev. B 26, 6706 (1982)
  • М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.П. Захарченя, И.Н. Яссиевич. ФТТ 38, 191 (1996)
  • O.B. Gusev, M.S. Bresler, P.E. Pak, N. Yassievich. Phys. Rev. B 64, 075 302 (2001)
  • W. Bludau, A. Onton, W. Heinke. J. Appl. Phys. 45, 1846 (1974)
  • Н.Г. Рябцев. Материалы квантовой электроники. Сов. радио, М. (1972)
  • W. Michaelis, M.H. Pilkihn. Phys. Status Solidi 36, 311 (1969)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.