Издателям
Вышедшие номера
Аккумуляционный нанослой --- 2D-электронный канал ультратонких интерфейсов Cs/n-InGaN
Бенеманская Г.В.1, Жмерик В.Н.1, Лапушкин М.Н.1, Тимошнев С.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: galina.benemanskaya@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 апреля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

Обнаружено формирование 2D-электронного канала --- зарядового аккумуляционного слоя на поверхности InGaN(0001) n-типа при адсорбции субмонослойных покрытий Cs. Найдено, что фотоэмиссия из аккумуляционного слоя возбуждается светом из области прозрачности InGaN. Установлено, что глубиной потенциальной ямы и плотностью электронных состояний аккумуляционного слоя можно целенаправленно управлять за счет изменений Cs-покрытий. Показано, что в аккумуляционном слое наблюдаются эффекты размерного квантования. Проведены расчеты матричного элемента фотоэмиссии, получены энергетические параметры аккумуляционного слоя. В спектрах фотоэмиссии из аккумуляционного слоя обнаружена осцилляционная структура, природа которой связана с интерференцией Фабри--Перо. Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант N 07-02-00510 а), программы Президиума РАН П-03 (грант N 2.10 а) и Фонда содействия отечественной науке. PACS: 73.20.-r, 73.21.Fg, 79.60.Dp
  • M.G. Betti, R. Biagi, U. del Pennino, N. Mariani, M. Pedio. Phys Rev. B 53, 13 605 (1996)
  • L. Olsson, C.B.M. Andersson, M.C. Hakansson, J. Kanski, L. Ilver, U.O. Karlsson. Phys. Rev. Lett. 76, 3626 (1996)
  • V.Yu. Aristov, G. Le Lay, V.M. Zhilin, G. Indlekofer, C. Grupp, A. Taleb-Inrahimi, P. Soukiassian. Phys. Rev. B 60, 7752 (1999)
  • M.G. Betti, V. Corradini, G. Bertoni, P. Cassarini, C. Mariani, A. Abramo. Phys. Rev. B 63, 155 315 (2001)
  • G.R. Bell, T.S. Jones, C.F. McConville. Appl. Phys. Lett. 71, 3688 (1997)
  • I. Mahbood, T.D. Veal, L.F.J. Piper, C.F. McConville. Phys. Rev. B 69, 201 307 (2004)
  • T.D. Veal, P.H. Jefferson, L.F.J. Piper, C.F. McConville, T.B. Joyce, P.R. Chalker. Appl. Phys. Lett., 89, 202 110 (2006)
  • G.V. Benemanskaya, V.S. Vikhnin, N.M. Shmidt, G.E. Frank-Kamenetskaya, I.V. Afanasiev. Appl. Phys. Lett. 85, 1365 (2004)
  • Г.В. Бенеманская, Г.Э. Франк-Каменецкая, Н.М. Шмидт. ЖЭТФ 130, 506 (2006)
  • Г.В. Бенеманская, М.Н. Лапушкин, С.Н. Тимошнев. ФТТ 49, 613 (2007)
  • G.V. Benemanskaya, S.V. Ivanov, M.N. Lapushkin. Solid State Commun. 143, 476 (2007)
  • S.V. Ivanov, V.N. Jmerik, T.V. Shubina. J. Cryst. Growth 301, 465 (2007)
  • В.Н. Жмерик, А.М. Мизеров, А.М. Шубина. ФТП 42, 630 (2008)
  • V.-H. Kim, S.-N. Lee, Ch. Huh. Phys. Rev. B 61, 10 966 (1999)
  • Г.В. Бенеманская, М.Н. Лапушкин, М.И. Урбах. ЖЭТФ 102, 1664 (1992)
  • A. Liebsch, G.V. Benemanskaya, M.N. Lapushkin. Surf. Sci. 302, 303 (1994)
  • И.В. Афанасьев, Г.В. Бенеманская, Г.Э. Франк-Каменецкая, В.С. Вихнин, Н.М. Шмидт. Патент РФ на изобретение N 2249877 (2005)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.