Изложены результаты исследований кинетики релаксации F⁺₂ центров после воздействия импульса радиации на кристалл LiF с предварительно накопленными в нем центрами окраски. Изучена зависимость кинетики релаксации и ее стадий от температуры образца при облучении, плотности энергии импульса радиации, исходной дефектности. Установлены количественные связи между параметрами кинетики и перечисленными факторами. Построена математическая модель для описания кинетики релаксации F₂⁺ центров после воздействия импульса радиации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.