При изучении методом фотолюминесценции влияния высокотемпературной (T=800-1100^oC) пластической деформации на свойства сильно легированных кристаллов n-GaAs(Sn) впервые обнаружен при повышении температуры деформации эффект деформационно-стимулированного распада сложных комплексов. Указанное обусловлено уменьшением концентрации комплексов типа примесь-собственный дефект, представляющих собой центры излучательной рекомбинации, вследствие их взаимодействия с упругими полями напряжений дислокаций.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.