Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности морфологии и структура нанокристаллических пленок кубического карбида кремния, выращиваемых на поверхности Si
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
3Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
2Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
3Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
Email: orlov@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 8 июля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.
С помощью разнообразных методов анализа (электронная, зондовая и интерференционная оптическая микроскопия, электронография, рентгеновская дифракция) исследуются состав, морфология поверхности и кристаллическая структура нанокристаллических пленок кубического карбида кремния, выращиваемых на кремнии методом химической конверсии из паров гексана. Проведено сопоставление характеристик пленок 3C-SiC, получаемых на подложках Si(100) и Si(111). Для гетероструктур 3C-SiC/Si(111) различными методами проанализированы особенности формы, размеров и кристаллографической структуры островков, формируемых на поверхности роста. Показано, что формируемые на поверхности фигуры роста образуют нанокристаллическую плотноупакованную текстуру с размерами зерен менее 50 nm. Электронограммы фигур роста на поверхности пленок демонстрируют наличие дополнительного сверхпериода, связанного с винтовыми осями в пространственной группе элементов симметрии кристалла. Работа выполнена в рамках проектов РФФИ (гранты N 08-02-97017 и 08-02-00065). PACS: 68.47.Fg, 68.55.Jk, 61.30.Hn
- W.T. Hsieh, Y.K. Fang, W.J. Lee, C.W. Ho, K.H. Wu, J.J. Ho. Electron. Lett. 36, 1869 (2000)
- T. Sugii, T. Ito, Y. Furumura, M. Doki, F. Mieno, M. Maeda. Electron. Dev. Lett. 9, 87 (1988)
- C.I. Park, J.H. Kang, K.C. Kim, K.S. Nahm, E.K. Suh, K.Y. Lim. Thin Solid Films 401, 60 (2001)
- S. Noh, X. Fu, L. Chen, M. Mehregany. Electron. Lett. 42, 775 (2006)
- T. Yoshinobu, H. Mitsui, Y. Tarui, T. Fuyuki, H. Matsunami. J. Appl. Phys. 72, 2006 (1992)
- Л.К. Орлов, Ю.Н. Дроздов, В.Б. Шевцов, В.А. Боженкин, В.И. Вдовин. ФТТ 49, 596 (2007)
- Л.К. Орлов, Ю.Н. Дроздов, В.Б. Шевцов, В.И. Вдовин, Ю.И. Тарасова, М.А. Гришков, Н.А. Алябина, В.А. Боженкин. Тр. конф. "Нанофизика и наноэлектроника-2008". ИФМ РАН, Н. Новгород (2008). С. 455
- R.T. Blunt. Proc. CS MANTECH Conf. Vancouver. Canada (2006). P. 59
- F.M. Morales, Ch. Zgheib, S.I. Molina, D. Araujo, R. Garcia, C. Fernandez, A. Sanz-Hervas, P. Weih, Th. Stauden, V. Cimalla, O. Ambacher, J. Pezoldt. Phys. Stat. Sol. (c), 1 (2), 341 (2004)
- В.И. Санкин, А.А. Лепнева. ФТП 34, 831 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
