Издателям
Вышедшие номера
Статические и динамические характеристики объемного и контактного электросопротивления в CdCr2Se4 в условиях стохастической неустойчивости тока
Дрокин Н.А., Ганиев Ш.М.
Выставление онлайн: 19 июня 1992 г.

В магнитных полупроводниках CdCr2Se4, легированных примесями донорного типа, исследуется эффект электрической неустойчивости тока, сопровождающийся появлением хаотических токовых осцилляций в сильных электрических полях. На основании потенциометрических измерений статического и временного распределения электрического поля по образцу установлено, что токовые осцилляции появляются вследствие изменения электрического сопротивления в области контакта полупроводника с металлом. Из анализа поведения объемного и контактного электросопротивления в зависимости от величины электрического поля установлено, что процесс электропереноса в CdCr2Se4 осуществляется зонным и прыжковым механизмами. Обнаруженная немонотонная зависимость контактного электросопротивления в сильных электрических полях связывается с неравновесным перераспределением электронов между зонными и примесными состояниями. Это может служить причиной возникновения электрической неустойчивости тока.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.