Издателям
Вышедшие номера
Экситонные и электронно-дырочные процессы в кристаллах CsCl и CsCl-Tl
Ибрагимов К.И., Лущик А.Ч., Лущик Ч.Б., Баймаханов А., Васильченко Е.А., Савихина Т.И.
Выставление онлайн: 20 октября 1992 г.

Для кристаллов CsCl и CsCl-Tl методами оптической и термоактивационной спектроскопии измерены спектры создания ВУФ-радиацией автолокализованных экситонов и дырок, Tl0-центров, а также спектры возбуждения люминесценции Tl+, что позволило разделить экситонные и электронно-дырочные процессы. Экспериментально показано, что при 5 и 80 K длина пробега экситонов до автолокализации в простых кубических кристаллах CsCl в десятки раз больше, чем в гранецентрированных кристаллах KCl и RbCl.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.