Издателям
Вышедшие номера
Влияние толщины слоя хрома на морфологию и оптические свойства гетероструктур Si(111)/нанокристаллиты CrSi2/Si(111)
Галкин Н.Г.1, Турчин Т.В.1, Горошко Д.Л.1
1Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия
Email: ngalk@iacp.dvo.ru
Поступила в редакцию: 17 мая 2007 г.
Выставление онлайн: 20 января 2008 г.

Методами дифракции медленных электронов, атомной силовой микроскопии и оптической спектроскопии на отражение и пропускание исследован рост и оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур Si(111)/нанокристаллиты CrSi2(111) на основе наноразмерных островков дисилицида хрома (CrSi2) на Si(111), сформированных методом реактивной эпитаксии с различными толщинами (0.1, 0.3, 0.6, 1.0 и 1.5 nm) при температуре 500oC с последующим эпитаксиальным ростом кремния при температуре 750oC. Определены особенности изменения плотности и размеров островков CrSi2 на поверхности кремния при T=750oC при увеличении толщины хрома. Установлено, что в гетероструктурах с толщиной хрома от 0.6 nm и более небольшая часть ограненных нанокристаллитов (НК) Cr2Si2 выходит в приповерхностную область кремния, что подтверждается данными оптической отражательной спектроскопии и анализом спектральной зависимости коэффициента поглощения. Показано, что существует критический размер НК, выше которого их движение к поверхности кремния затруднено. Уменьшение плотности вышедших НК при толщинах хрома 1.0--1.5 nm связано с формированием более крупных НК в толщине слоя кремния, что и подтверждается данными дифференциальной отражательной спектроскопии. Работа выполнялась при финансовой поддержке грантов РФФИ N 07-02-00958\_a, ДВО РАН N 06-I-П1-001 и N 06-I-ОФН-118. PACS: 61.14.Hg, 68.03.Cd, 78.67. Bf
  • Semiconducting Silicides / Ed. V.E. Borisenko. Springer-Verlag, Berlin (2000)
  • V. Bellani, G. Guizzetti, F. Marabelli, A. Piaggi, A. Borghesi, F. Nava, V.N. Antonov, V1.N. Antonov, O. Jepsen, O.K. Andersen, V.V. Nemoshkalenko. Phys. Rev. B 46, 9380 (1992)
  • R.W. Fathauer, P.J. Grunthaner, T.L. Lin, K.T. Chang. J.H. Mazur, D.N. Danielson. J. Vac. Sci. Tecnhol. B 6, 708 (1988)
  • P. Wetzel, C. Pirri, J.C. Peruchetti, D. Bolmont, G. Gewinner. Solid Satet Commun. 65, 1217 (1988)
  • N.I. Plusnin, N.G. Galkin, V.G. Lifshits. Surf. Rev. Lett. 2, 439 (1995)
  • N.G. Galkin, T.V. Velitchko, S.V. Skripka, A.B. Khrustalev. Thin Solid Films 280, 211 (1996)
  • N.G. Galkin, A.M. Maslov, A.V. Konchenko. Thin Solid Films 311, 230 (1997)
  • V.A. Gasparov, V.A. Grazhulis, V.V. Bondarev, T.M. Bychkova, V.G. Lifshits, N.G. Galkin, N.I. Plusnin, Surf. Sci. 292, 298 (1993)
  • N.G. Galkin, D.L. Goroshko, S.A. Dotsenko, T.V. Turchin. J. Nanosci. Nanotechnol. in press (2007)
  • T. Suemasu, T. Fujii, M. Tanaka, K. Takakura, Y. Iikura, F. Hasegawa. J. Luminescence 80, 473 (1999)
  • T. Suemasuu, T. Fujii, K. Takakura, F. Hasegawa. Thin Solid Films 381, 209 (2001)
  • T. Suemasu, Y. Negishi, K. Takakura, F. Hasegawa. Appl. Phys. Lett. 79, (2001), 1804
  • Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников. Наука М. (1977). 336 с
  • Н.Г. Галкин, А.М. Маслов, А.В. Конченко, И.Г. Каверина, А.С. Гуральник. Опт. и спектр. 85, 658 (1998)
  • В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Наук. думка, Киев (1987). 387 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.