Исследованы магнитные свойства, магнитосопротивление и фазовые переходы в полупроводниковых манганитах-мультиферроиках Tb_0.95Bi_0.05MnO₃ и Eu_0.8Ce_0.2Mn₂O₅, в которых ранее были изучены диэлектрические свойства. Анализ последних привел нас к заключению о возникновении в изученных кристаллах при температурах T>=180 K фазового расслоения с динамическим периодическим распределением квази-2D-слоев из ионов марганца разной валентности - зарядового сегнетоэлектричества. Это состояние обладает гигантской диэлектрической проницаемостью и ферромагнетизмом в слоях, содержащих ионы Mn³⁺ и Mn⁴⁺. При низких температурах (T<100 K) основной фазовый объем занят диэлектрической фазой. Исследования магнитных свойств и влияния магнитного поля на диэлектрические свойства кристаллов подтверждают принятую нами картину формирования состояния с гигантской диэлектрической проницаемостью. При низких температурах намагниченность Tb_0.95Bi_0.05MnO₃ имеет особенности в точках фазовых переходов чистого кристалла TbMnO₃. При всех температурах наблюдается также ферромагнитный момент. На границах квази-2D-слоев в магнитном поле наблюдаются скачки сопротивления, обусловленные метамагнитными переходами в слоях с ионами Mn³⁺ и Mn⁴⁺. При температурах T>=180 K наблюдается периодическое изменение сопротивления в магнитном поле, иллюстрирующее процесс самоорганизации носителей заряда. Магнитное поле достаточной величины приводит к сдвигу фазового перехода от 180 K до более высоких температур и индуцирует добавочные фазовые переходы. Работа поддержана грантами РФФИ 05-02-16328 и 08-02-00077, а также Программой 03 Президиума РАН. PACS: 75.47.Lx, 76.50.+g, 77.80.-e

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.