Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовано распределение дислокационных петель по размерам в полупроводниках CdTe, ZnTe, ZnSe, ZnS, CdS, GaAs, Si и Ge. Экспериментальные результаты сравниваются с теоретическими расчетами критических радиусов перехода частичных дислокационных петель в полные с учетом энергии образования дислокационных петель и энергии дефекта упаковки материалов. Показано, что критический радиус зависит от энергии дефекта упаковки и является важной характеристикой при анализе процессов дефектообразования в полупроводниках.
M. Herrera, D. Gonzalez, J.G. Lozano, R. Garcia, M. Hopkinson, H.Y. Liu, M. Gutierrez, P. Navaretti. J. Appl. Phys. 98, 023 521 (2005)
С.Н. Вотинов, О.П. Максимкин. Вопр. атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение 3(81), 23 (2002)
F. Ebrahimi, Z. Ahmed, H. Li. Appl. Phys. Lett. 85, 3749 (2004)
Y. Ohno, T. Taishi, Y. Tokumoto, I. Yonenaga. J. Appl. Phys. 108, 073 514 (2010)
Ю.Ю. Логинов, П. Браун, К. Дьюроуз. Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках A-=SUB=-2-=/SUB=-B-=SUB=-6-=/SUB=-. Логос, М. (2003). 304 с
С. Амелинкс. Методы прямого наблюдения дислокаций. Мир, М. (1968). 440 с
http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/
И.В. Горичок. ФТТ 54, 1373 (2012)
http://www.elektrosteklo.ru/Crystals.htm
S. Takeuchi, K. Suzuki, K. Maeda, H. Iwanaga. Phil. Mag. A 50, 171 (1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук