"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Синтез светодиодной структуры на гранях (1120) и (0001) мезаполосков, выращенных методом селективной эпитаксии
Рожавская М.М.1, Лундин В.В.1, Сахаров А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Mrozhavskaya@gmail.com
Поступила в редакцию: 26 августа 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.

Исследовано влияние типа несущего газа на характер формирования слоев p-GaN на гранях (0001), (1120) и (1122) мезаполосковой структуры, сформированной с использованием метода селективной эпитаксии. На гранях (0001) и (1120) мезаполосковой структуры прямоугольного сечения сформирована светодиодная структура с активной областью на основе квантовых ям InGaN/GaN. Созданы прототипы светодиодов на свободных полосках GaN, отделенных от подложки.
  • Stephan Lutgern, Dimitri Dini, Ines Pietzonka et al. // Proc. SPIE. 2011. V. 7953. P. 79530G-1
  • Kwang-Choong Kim, Mathev C., Schmidt, Hitoshi Sato et al. // Phys. Status Solidi. 2007. RRL 1(3). P. 125--127
  • Mitsuru Funato, Masaya Ueda, Yoichi Kawakami et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2006. V. 45 (26). L659--L662
  • Nishizuka K., Funato M., Kawakami Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85(15). P. 3122
  • Лундин В.В., Николаев А.Е., Сахаров A.В., Цацульников А.Ф. // ФТП. 2008. Т. 42(2). С. 233
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.