Представлены результаты по выращиванию пленок карбида кремния на кремниевых пластинах большого диаметра 150 mm (6 дюймов) новым методом твердофазной эпитаксии. Выращенные пленки SiC на пластинах Si были исследованы с помощью спектральной эллипсометрии, SEM-микроскопии, рентгеновской дифракции и метода комбинационного (рамановского) рассеяния. Исследования показали, что слои SiC являются эпитаксиальными по всей поверхности 150-mm пластины. Пластины не напряжены, ровны, без изгибов. Полуширина рентгеновской кривой качания (FWHMomega-theta) пластин варьируется в пределах от 0.7o до 0.8o при толщине слоя 80-100 nm. Пластины пригодны для использования в качестве темплейтов для выращивания на их поверхности толстых пленок SiC, AlN, GaN, ZnO и других широкозонных полупроводников стандартными методами CVD, HVPE и MBE.
Лебедев А.А. // Химия и жизнь. 2006. N 4. С. 14
Silicon Carbide: A Review of Fundamental Questions and Applications to Current Device Technology / Ed. by W.J. Choyke, H.M. Matsunami, G. Pensl. V. 1--2. Berlin: Akademie, 1998
Silicon Carbide: Materials Processing, and Devices / Ed. by Zhe Chuan Feng and Jian H. Zhao. V. 1--2. London, New York. 2004
Fissel A. // Physics Reports. 2003. V. 379. P. 149
Lebedev A.A. // Semiconductor Science and Technology. 2006. V. 21. R 17--R34
Лучинин В.В., Таиров Ю.М. // Современная электроника. 2009. N 7. С. 12
Tschumak E., Tonisch K., Pezold J., As D.J. // Materials Science Forum. 2009. N 615--617. С. 943
Kwang Chul Kim and Chan Il Park, Jae II Roh, Kee Suk Nahm, Young Hun Seo // J. Vac. Sci. Technol. 2001. V. A 19(5). P. 2636--2641
Severinov A., Lockeb C., Anzalonea R., Camardaa M., Pilusoa N., La Magnaa A., S.E. Saddowb, Abbondanzac G., D'Arrigoa G., La Viaa F. // ECS Transactions. 2011. V. 35. N 6. P. 99
Nishino S., Powell J.A., Will H.A. // Appl. Phys. Lett. 1983. V. 42. P. 460
Ricciardi C., Aimo Boot E., Giorgis F., Mandracci P., Meotto U.M., Barucco G. // Appl. Surf. Sci. 2004. V. 238. P. 331
Iacopi F., Walker G., Wang L., Malesys L., Ma S., Cunning B., Iacopi A. // Appl. Phys. Lett. 2013. V. 102. P. 011 908
Кукушкин С.А., Осипов А.В., Феоктистов Н.А.. Способ изготовления изделия, содержащего кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности: Патент на изобретение N 2363067, приоритет от 22.01.2008
Кукушкин С.А., Осипов А.В. // ФТТ. 2008. Т. 50. В. 7. С. 1188
Кукушкин С.А., Осипов А.В. // Изв. РАН. Механика твердого тела. 2013. Т. 2. С. 122--136
Kukushkin S.A., Osipov A.V. // J. Appl. Phys. 2013. V. 113. N 2. P. 4909
Кукушкин С.А., Осипов А.В. // ФТП. 2013. Т. 47. В. 12. С. 1575
Жуков С.Г., Кукушкин С.А., Лукьянов А.В., Осипов А.В., Феоктистов Н.А. Способ изготовления изделий, содержащих кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности, и реактор для осуществления способа: Заявка на изобретение, приоритет от 18.02.2013
Калинкин И.П., Кукушкин С.А., Осипов А.В. Способ обработки поверхности монокристаллической пластины кремния: Патент на изобретение N 2323503 РФ, приоритет 05.06.2006
Сорокин Л.М., Веселов Н.В., Щеглов М.П., Калмыков А.Е., Ситникова А.А., Феоктистов Н.А., Осипов А.В., Кукушкин С.А. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34. В. 22. С. 88