Издателям
Вышедшие номера
Влияние легирования Sc и Yb на электрические и люминесцентные свойства кремния, полученного методом Стокбаргера
Шамирзаев Т.С.1, Непомнящих А.И.2, Красин Б.А.1, Семенова О.И.1, Токарев А.С.1, Бородовский П.А.1, Булдыгин А.Ф.1, Сарычев П.П.2
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт геохимии им. А.П. Виноградова Сибирского отделения Российской академии наук, Иркутск, Россия
Email: timur@thermo.isp.nsc.ru
Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.

Исследовалось влияние легирования скандием и иттербием на электрофизические и люминесцентные свойства мультикристаллического кремния, выращенного методом Стокбаргера. Обнаружено, что удельное сопротивление, время жизни неосновных носителей заряда и положение максимума полосы низкотемпературной люминесценции, имеющие одинаковые значения вдоль направления роста нелегированного слитка, демонстрируют монотонное изменение значений вдоль направления роста легированных слитков. Анализ спектров фотолюминесценции и типа проводимости в различных точках легированных слитков позволил сделать вывод о том, что изменения их электрофизических свойств вдоль направления роста обусловлены перераспределением фоновых акцепторов, концентрация которых монотонно уменьшается от начала к концу слитка. Перераспределение фоновых примесей объясняется образованием соединений фоновая примесь-легирующая примесь, обладающих коэффициентами распределения в расплаве кремния, сильно отличающимися от единицы. Работа выполнена при поддержке СО РАН (Интеграционный проект N 8) и РФФИ (проект N 05-05-64752). PACS: 61.72.-y, 61.72.Ss, 71.20.Mq
  • А.И. Непомнящих, В.П. Еремин, Б.А. Красин, И.Е. Васильева, И.А. Елисеев, А.В. Золотайко, С.И. Попов, В.В. Синицкий. Изв. вузов. Материалы электрон. техники 4, 16 (2002)
  • Н.Т. Баграев, Л.С. Власенко, К.А. Гацоев, А.Т. Гореленок, А.В. Каманин, В.В. Мамутин, Б.В. Пушный, В.К. Тибилов, Ю.П. Толпаров, А.Е. Шубин. ФТП 18, 83 (1984)
  • В.А. Касаткин, А.В. Любченко, В.Г. Макаренко, А. Аннаев, А.В. Любченко. УФЖ 32, 1721 (1987)
  • В.А. Беспалов, А.Г. Елкин, Б.Г. Журкин, А.В. Квит, С.Р. Октябрьский, Г.А. Перегожин. Краткие сообщения по физике (ФИАН) 9, 32 (1987)
  • Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, Б.Е. Саморуков, Н.А. Стругов. ФТП 22, 147 (1988)
  • В.Ф. Мастеров, Л.Ф. Захаренков. ФТП 24, 610 (1990)
  • К.С. Журавлев, Н.А. Якушева, Т.С. Шамирзаев, В.Г. Погадаев, О.А. Шегай. ФТП 27, 1473 (1993)
  • Б.А. Красин, А.И. Непомнящих, А.С. Токарев, Т.С. Шамирзаев, Р.В. Пресняков, А.П. Максиков. Изв. вузов. Материалы электрон. техники. 1, 28 (2005)
  • П.А. Бородовский, А.Ф. Булдыгин, А.С. Токарев. ФТП 38, 1043 (2004)
  • G. Davies. Phys. Rep. 176, 83 (1989)
  • M. Levy, P.Y. Yu, Y. Zhang, M.P. Sarachik. Phys. Rev. B 49, 1677 (1994)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.