Издателям
Вышедшие номера
Неустойчивость решетки кристалла селенида цинка, индуцированная 3d-примесями
Соколов В.И.1, Дубинин С.Ф.1, Гудков В.В.2,3, Лончаков А.Т.1
1Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Российский государственный профессионально-педагогический университет, Екатеринбург, Россия
3Уральский государственный технический университет (УПИ), Екатеринбург, Россия
Email: visokolov@imp.uran.ru
Выставление онлайн: 20 августа 2008 г.

Экспериментальные результаты свидетельствуют, что в кристалле ZnSe со структурой цинковой обманки, легированном 3d-примесями, возникают наноразмерные сдвиговые смещения ионов тригонального (ZnSe : Ni, ZnSe : V) и тетрагонального (ZnSe : Cr) типов при температурах 300 и 120 K. При понижении температуры в диапазоне 100-4.2 K происходит размягчение сдвиговых упругих модулей, индуцированное 3d-примесями: C44 (ZnSe : Ni) и (C11-C12)/2 (ZnSe : Cr). В спектре комбинационного рассеяния света ZnSe : Ni при температурах 5 и 20 K появляется новый пик с частотой 90 cm-1. Работа поддержана грантами РФФИ (N 04-02-96094, 07-02-00910-a). PACS: 61.12.-q, 43.35.+d, 61.72.Vv, 62.20.Dc, 64.70.Kb
  • A. Zunger. Solid state physics / Eds H. Ehrenreich, D. Turnbull. Orland Academic Press (1986). V. 39. P. 275
  • K.A. Kikoin, V.N. Fleurov. Transition metal impurities in semiconductors: electronic structure and physical properties. World Scientific, Singapore (1994). 349 p
  • В.И. Соколов. ФТП 28, 545 (1994)
  • K.R. Kittilstved, W.K. Liu, D.R. Gamelin. Nature Mater. 5, 291 (2006)
  • J.M. Coey, M. Venkatesan, C.B. Fitzgerald. Nature Mater. 4, 173 (2005)
  • R. Janisch, P. Gopal, N.A. Spaldin. J. Phys.: Cond. Matter 17, R 657 (2005)
  • В.И. Соколов, С.Ф. Дубинин, С.Г. Теплоухов, В.Д. Пархоменко, Н.Б. Груздев. ФТТ 47, 1494 (2005)
  • С.Ф. Дубинин, В.И. Соколов, С.Г. Теплоухов, В.Д. Пархоменко, Н.Б. Груздев. ФТТ 48, 2151 (2006)
  • С.Ф. Дубинин, В.И. Соколов, С.Г. Теплоухов, В.Д. Пархоменко, В.В. Гудков, А.Т. Лончаков, И.В. Жевстовских, Н.Б. Груздев. ФТТ 49, 1177 (2007)
  • В.В. Гудков, А.Т. Лончаков, В.И. Соколов, И.В. Жевстовских, Н.Б. Груздев. ФТТ 47, 1498 (2005)
  • V.V. Gudkov, A.T. Lonchakov, V.I. Sokolov, I.V. Zhevstovskikh, N.B. Gruzdev. Phys. Status Solidi B 242, R 30 (2005)
  • V.V. Gudkov, A.T. Lonchakov, V.I. Sokolov, I.V. Zhevstovskikh. Phys. Rev. B 73, 035 213 (2006)
  • Ю.А. Изюмов, В.Е. Найш, Р.П. Озеров. Нейтронография магнетиков. Атомиздат, М. (1981). 194 с
  • V.I. Sokolov, S.F. Dubinin, S.G. Teploukhov, V.D. Parkhomenko, N.B. Gruzdev, A. Lukoyanov, I.A. Nekrasov, V.I. Anisimov, F. Romain, F. Fillaux. Phys. Status Solidi C 1, 3150 (2004)
  • В.И. Соколов, F. Fillaux, F. Romain, P. Lemmens, Н.Б. Груздев. ФТТ 47, 1507 (2005)
  • B.L. Vanmil, A.J. Ptak, L. Bai, Lijun Wang, M. Chirila, N.G. Giles, Y.H. Myers, L. Wang. J. Electron. Mater. 31, 770 (2002)
  • М.П. Кулаков, Ж.Д. Соколовская. Неорган. материалы 21, 20 (1985)
  • J. Baars, G. Brandt. J. Phys. Chem. Solids 34, 905 (1973)
  • С.И. Новикова. Тепловое расширение твердых тел. Наука, М. (1974). 291 с
  • D.N. Talwar, M. Vandevyver, K. Kunc, M. Zigone. Phys. Rev. B 24, 741 (1981)
  • D.N. Talwar, G. Thaler, S. Zaranek, K. Peterson, S. Linger, D. Walker, K. Hally. Phys. Rev. B 55, 11 293 (1997)
  • W. Weber. Phys. Rev. B 15, 4782 (1977)
  • У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел. Мир, М. (1983). Т. 1. 379 с
  • A. Gallian, V.V. Fedorov, J. Kernal, J. Allman, S.B. Mirov, E.M. Dianov, A.O. Zabezhaylov, I.P. Kazakov. Appl. Phys. Lett. 86, 091 105 (2005)
  • E. Sorokin, I.T. Sorokina. Appl. Phys. Lett. 80, 3289 (2002)
  • В.И. Козловский, Ю.В. Коростелин, А.И. Ландман, Ю.П. Подмарьков, М.П. Фролов. Квантовая электрон. 33, 408 (2003)
  • И.В. Иванченко, С.Ю. Карелин, С.Ю. Паранчич, Л.Д. Паранчич, Н.А. Попенко, В.Р. Романюк. Радиофизика и электроника 9, 264 (2004)
  • Н.С. Аверкиев, Т.К. Аширов, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, В.Е. Седов. ФТТ 28, 2959 (1986)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.