Издателям
Вышедшие номера
Дефектообразование при отжиге нейтронно-облученного карбида кремния
Кютт Р.Н., Лепнёва А.А., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н., Трегубова А.С., Щеглов М.М., Юлдашев Г.Ф.
Выставление онлайн: 20 августа 1988 г.

Рентгенодифракционными методами изучено диффузное рассеяние и определены параметры решетки в SiC, облученном потоком реакторных нейтронов, в зависимости от дозы облучения (Phi=1017/1021 см-2) и температуры изохронного отжига (Ta=200/2600oС). Исследовано также изменение в процессе отжига электрических и оптических свойств образцов. Установлено, что радиационные дефекты приводят к увеличению параметров решетки и частично отжигаются при Ta=500/1000oС. Основная стадия отжига, в результате которой происходит почти полное восстановление исходной концентрации носителей заряда, коэффициента оптического поглощения и параметров решетки, происходит при Ta=1500/1700oС и характеризуется энергией активации, равной 3.0 эВ. При более высоких Ta<=1900oС в образцах методом диффузного рассеяния, проводимого на трехкристальном спектрометре, выявлены крупные кластеры междоузельного типа, размеры которых растут с повышением Ta от 100-200 Angstrem при 1900oС до 2000-4000 Angstrem при 2500oС.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.