Издателям
Вышедшие номера
Локализация электронов и гальваномагнитные свойства компенсированных кристаллов n-CdxHg1-xTe и n-InSb в квантующем магнитном поле
Аронзон Б.А., Чумаков Н.К.
Выставление онлайн: 19 марта 1989 г.

Проведены исследования компонент тензора удельного сопротивления rhoxx, rhozz, rhoxy компенсированных n-CdxHg1-xTe и n-InSb при температурах 0.35 K=< T=< 30 K (InSb) и 1.3 K=< T=<30 K (CdxHg1-xTe) в магнитных полях B=< 8 T (B|| Z). С увеличением магнитного поля наблюдается переход металл-диэлектрик, происходящий по следующему сценарию: 1) в слабых полях вещество находится в металлическом состоянии, затем 2) происходит локализация электронов в ямы крупномасштабного флуктуационного потенциала (ФП), и, наконец, 3) электроны локализуются в мелкомасштабном потенциале (эквивалент магнитного вымораживания). Подробно изучены свойства вещества во второй, промежуточной, фазе. Анализ различных способов описания наблюдаемых в этой фазе особенностей rhoxx (B, Т), rhozz (B, T), rhoxy (B, Т) показывает, что наиболее адекватное описание достигается в модели <неоднородной среды>, существенно учитывающей неоднородность распределения концентрации электронов по объему образца. Исследованы температурная и полевая зависимости предэкспоненциальных множителей активационной части проводимости. Проанализирована природа минимума в зависимости коэффициента Холла RH от B.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.