Издателям
Вышедшие номера
Особенности излучательной рекомбинации в кристаллах GeSe2 и As2Se3
Васильев В.А.
Выставление онлайн: 19 апреля 1989 г.

Исследованы спектры излучения и возбуждения ФЛ, кинетика затухания, температурная зависимость интенсивности ФЛ и времени жизни, степень поляризации ФЛ и ее температурная зависимость в области низких температур. Наблюдаемые особенности ФЛ при низких температурах обсуждаются в предположении, что полоса ФЛ в кристаллах GeSe2 и As2Se3 обусловлена излучательной рекомбинацией автолокализованного экситона.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.