Издателям
Вышедшие номера
Косвенное взаимодействие экранированных диполей в узкощелевых полупроводниках типа A4B6
Дугаев В.К., Петров П.П.
Выставление онлайн: 20 июля 1989 г.

Рассмотрена задача о косвенном взаимодействии через электронную подсистему примесей с дипольным моментом в узкощелевых полупроводниках со спектром дираковского типа. Масштабом, определяющим характер взаимодействия между экранированными диполями, является отношение матричного элемента межзонного взаимо- действия к полуширине энергетической щели в спектре v/Delta. При среднем расстоянии между диполями R<< v/Delta энергия парного взаимодействия varepsilonint~R-5 и преобладает антисегнетоэлектрическое взаимодействие. На больших расстояниях R>> v/Delta имеет место тенденция к сегнетоэлектрическому упорядочению примесных диполей.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.