Экспериментально установлено и подтверждено термодинамическими расчетами, что в бездислокационных монокристаллах кремния вблизи фронта кристаллизации процесс рекомбинации собственных точечных дефектов затруднен в связи с наличием рекомбинационного барьера. В соответствии с гетерогенным механизмом образования и трансформации ростовых микродефектов произведена оценка рекомбинационных параметров (высота рекомбинационного барьера, время рекомбинации, фактор рекомбинации) модели динамики точечных дефектов при высоких и низких температурах. Подтверждено, что распад пересыщенного твердого раствора точечных дефектов происходит по двум направлениям: вакансионному и межузельному. Вакансии и собственные межузельные атомы кремния находят стоки в виде фоновых примесей кислорода и углерода. Показано, что образование пар собственный точечный дефект--примесь является доминирующим процессом вблизи температуры плавления. PACS: 61.72.Bb, 61.72.Jj, 61.72.Yx
R.A. Brown, D. Maroudas, T. Sinno. J. Cryst. Growth. 137, 12 (1994)
T. Sinno, R.A. Brown, W. von Ammon, E. Dornberger. J. Electrochem. Soc. 145, 302 (1998)
T. Sinno, R.A. Brown. J. Electrochem. Soc. 146, 2300 (1999)
T.L. Larsen, L. Jensen, A. Ludge, H. Riemann, H. Lemke. J. Cryst. Growth. 230, 300 (2001)
W. Wijaranakula. J. Electrochem. Soc. 139, 604 (1992)
R. Habu, A. Tomura. Jpn. J. Appl. Phys. 35, 1 (1996)
P.B. Rasband, P. Clancy, M.O. Thompson. J. Appl. Phys. 79, 12 (1996)
M. Akatsuka, M. Odui, S. Umeno, K. Sueoka. J. Electrochem. Soc. 150, G587 (2003)
A. Voigt, C. Weichmann, J. Nitschkowski, E. Dornberger, R. Holz. Cryst. Res. Technol. 38, 499 (2003)
H. Lemke, W. Sudkamp. Phys. Stat. Sol. A 176, 843 (1999)
V.V. Voronkov. J. Cryst. Growth. 59, 625 (1982)
A.J.R. de Kock, P.J. Roksnoer, P.G.T. Boonen. J. Cryst. Growth. 30, 279 (1975)
P.J. Roksnoer, M.M.B. von den Boom. J. Cryst. Growth. 53, 563 (1981)
J. Furukawa, H. Tanaka, Y. Nakada, N. Ono, S. Shiraki. J. Cryst. Growth. 210, 26 (2000)
M. Kato, T. Yoshida, Y. Ikeda, Y. Kitagawara. Jpn. J. Appl. Phys. 35, 5597 (1996)
H.Foll, B.O. Kolbesen. J. Appl. Phys. 8, 319 (1975)
M. Itsumi. J. Cryst. Growht. 237--239, 1773 (2002)
V.I. Talanin, I.E. Talanin. Phys. Stat. Sol. A 200, 297 (2003)
V.I. Talanin, I.E. Talanin, D.I. Levinzon. Cryst. Res. \& Technol. 37, 983 (2002)
V.I. Talanin, I.E. Talanin, D.I. Levinzon. Crystall. Rep. 49, 188 (2004)
V.I. Talanin, I.E. Talanin. Defects \& Diffusion Forum 230--232, 177 (2004)
S.M. Hu. J. Vac. Sci. \& Technol. 14, 17 (1977)
E. Sirtl. In: Semiconductor silicon / Eds H.R. Huff, E. Sirtl. Princeton, N.Y. (1977). P. 4
U. Gosele, W. Frank, A. Seeger. J. Appl. Phys. 23, 361 (1980)
U. Gosele, W. Frank, A. Seeger. Solid State Commun. 45, 31 (1983)
J. Dzelme, I. Ertsinsh, B. Zapol, A. Misiuk. Phys. Stat. Sol. A 171, 197 (1999)
L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev, J. van Landujt, J. Vanhellemont. Phys. Stat. Sol. A 171, 147 (1999)
L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev. Cryst. Res. \& Technol. 35, 775 (2000)
M. Ian Hodge. J. Res. Natl. Inst. Stand. Technol. 102, 195 (1997)
M. Tang, L. Colombo, J. Zhu, T. Diaz de la Rubia. Phys. Rev. B 55, 14 279 (1997)
H.J. Mayer, H. Mehrer, K. Maier. In: Proc. Conf. on Radiation Effects in Semiconductors. Inst. Phys. Conf. Ser. 31 / Eds N.B. Urli, J.W. Corbett. Bristol, London (1977). P. 186
H. Bracht, E.E. Haller, R. Clark-Phelps. Phys. Rew. Lett. 81, 393 (1998)
G. Adam, J.H. Gibbs. J. Chem. Phys. 43, 139 (1965)
D.A. Antoniadis, I. Moskowitz. J. Appl. Phys. 53, 9214 (1982)
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук