Издателям
Вышедшие номера
Особенности картин электронной дифракции нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных на подложках Si (100) и (111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Сошников И.П.1,2, Цырлин Г.Э.1,2,3, Тонких А.А.2,3, Неведомский В.Н.1, Самсоненко Ю.Б.1,2,3, Устинов В.М.1,2
1Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук", Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: ipsosh@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.

Методом дифракции быстрых электронов на отражение проведено исследование кристаллической структуры нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (111) и Si (100). Установлено, что дифракционные картины в обоих случаях содержат суперпозицию систем рефлексов, характерных для гексагональной (вюрцит и/или 4H) и кубической (сфалерит) фаз GaAs. Показано, что при росте на Si (111) формируются нитевидные нанокристаллы с гексагональной (вюрцит и/или 4H) и кубической (сфалерит) фазами с одной и двумя ориентациями соответственно. В случае роста на подложках Si (100) обнаружена система нитевидных нанокристаллов GaAs с кубической фазой и пятью различными ориентациями, а также гексагональной фазы с восемью ориентациями в плоскостях подложки типа (110). Проявление двойственной кристаллической структуры в нитевидных нанокристаллах объясняется фазовыми переходами вюрцит-сфалерит и/или двойникованием кристаллитов. Работа выполнена при поддержке РФФИ и программы РАН. Один из авторов (А.А.Т.) благодарит Минобрнауки РФ за поддержку проекта "Полупроводниковые наноструктуры --- новые физические эффекты и приборы на их основе". PACS: 68.70.+w, 61.14.Hg, 81.05.Ea, 81.07.-b, 81.15.Hi
  • Y. Li, J. Xiang, F. Quang, S. Gradecak, Y. Wu, H. Yan, D.A. Blom, C.M. Lieber. Nanoletters 6, 1468 (2006)
  • B.J. Ohlsson. M.T. Bjork, M.H. Magnusson, K. Deppert, L. Samuelson, L.R. Wallenberg. Appl. Phys. Lett. 79, 3335 (2001)
  • M.T. Bjork, B.J. Ohlsson, T. Sass, A.I. Persson, C. Thelander, M.H. Magnusson, K. Deppert, L.R. Wallenberg, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett. 80, 1058 (2002)
  • H. Sakaki. Jpn. J. Appl. Phys. 19, L 735 (1980)
  • R.B. Marcus, T.S. Ravi, T. Gimmer, K. Chin, D. Liu, W.J. Orvis, D.R. Ciarlo, C.E. Hunt, J. Trujillo. Appl. Phys. Lett. 56, 236 (1990)
  • E.I. Givargizov, A.N. Stepanova, L.N. Obolenskaya, E.S. Mashkova, V.A. Molchanov, M.E. Givargizov, I.W. Rangelov. Ultramicroscopy 82, 57 (2000)
  • C.M. Lieber. Nature Biotechnology 23, 1294 (2005)
  • Q. Wan, Q.H. Li, Y.J. Chen, T.H. Wang, X.L. He, J.P. Li, C.L. Lin. Appl. Phys. Lett. 84, 3654 (2004)
  • Y.-K. Choi, J.S. Lee, J. Zhu, G.A. Somorjai, L.P. Lee, J. Bokor. J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2951 (2003)
  • L. Schubert, P. Werner, N.D. Zakharov, G. Gerth, F.M. Kolb, L. Long, U. Goesele, T.Y. Tan. Appl. Phys. Lett. 84, 4968 (2004)
  • Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП 39, 587 (2005)
  • V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. J. Cryst. Growth 289, 31 (2006)
  • И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, А.В. Веретеха, А.Г. Гладышев, В.М. Устинов. ФТТ 48, 737 (2006)
  • V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B 71, 105 325 (2005)
  • И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, Ю.Б. Самсоненко, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов, О.М. Горбенко, D. Litvinov, D. Gerthsen. ФТТ 47, 2121 (2005)
  • И.П. Сошников, А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, В.М. Устинов. Письма в ЖТФ 30, 29 (2004)
  • J.C. Harmand, G. Patriarche, N. Pere-Laperne, M.-N. Merat-Combes, L. Travers, F. Glas. Appl. Phys. Lett. 87, 203 101 (2005)
  • Л. Ченг, К. Плог. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. Мир, М. (1989)
  • K. Hiruma, M. Yazawa, K. Haraguchi et al. J. Appl. Phys. 74, 3162 (1993)
  • К. Сангвал. Травление кристаллов: теория, эксперимент, практика. Мир, М.(1990)
  • И.П. Сошников, О.М. Горбенко, А.О. Голубок, Н.Н. Леденцов. ФТП 35, 361 (2001)
  • E.I. Givargizov. J. Cryst. Growth 20, 217 (1973)
  • Е.И. Гиваргизов. Кристаллография 20, 812 (1975).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.