Исследовались спектры фотолюминесценции в видимой и инфракрасной областях электромагнитного излучения облученных электронами (E=1.2 MeV, Phi=2· 1017 cm-2) монокристаллов СdS. Для увеличения концентрации исходных структурных повреждений часть монокристаллов предварительно облучалась нейтронами (E=2 MeV, Phi=2·1018 cm-2). На основании анализа интенсивности максимумов фотолюминесценции облученных монокристаллов с lambdam=0.72, 1.03 и 0.605 mum делается вывод о наибольшей радиационной стойкости к электронной радиации малодефектных в исходном состоянии образцов CdS. Предполагается, что за наблюдаемую перестройку спектров фотолюминесценции в электронно облученных дефектных монокристаллах СdS могут быть ответственны механизмы подпорогового дефектообразования или перестройка дефектных комплексов в полях упругого и электрического происхождения вблизи крупных структурных повреждений решетки. PACS: 78.55.Et
А.П. Галушка, Г.Е. Давидюк. ФТП 9, 2272 (1975)
Г.Е. Давидюк, Н.С. Богданюк, А.П. Шаварова. ФТП 28, 2056 (1994)
Н.С. Богданюк, Г.Е. Давидюк, А.П. Шаварова. ФТП 29, 201 (1995)
Н.С. Богданюк, Г.Е. Давидюк, А.П. Шаварова. ФТП 29, 357 (1995)
Г.Е. Давидюк, В.С. Манжара, Н.С. Богданюк, А.П. Шаварова, В.В. Булатецкий. Неорган. материалы 33, 20 (1997)
Г.Е. Давидюк, В.С. Манжара, Н.С. Богданюк, А.П. Шаварова, В.В. Булатецкий. ФТП 31, 390 (1997)
Г.Е. Давидюк, Н.С. Богданюк, А.П. Шаварова, А.А. Федонюк. ФТП 31, 1013 (1997)
Г.Е. Давидюк, В.А. Оксюта, В.С. Манжара. ФТТ 44, 246 (2002)
Физика и химия соединений A-=SUB=--=/SUB=--=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUB=--=/SUB=--=SUP=-VI-=/SUP=- / Под ред. С.А. Медведева. Мир, М. (1970). С. 103
B.A. Kulp. Phys. Rev. 125, 1865 (1962)
И.Б. Ермилович, Г.И. Матвиевская, Г.С. Пекарь, М.К. Шейнкман. УФЖ 18, 833 (1973)
J.E. Ralph. Phys. Stat. Sol. (a) 53, 611 (1979)
Точечные дефекты в твердых телах / Под ред. Б.И. Болтакса и др. Мир, М. (1979). С. 228
Б. Келли. Радиационные повреждения в твердых телах. Атомиздат, М. (1970). С. 34.
А.М. Гурвич. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. Высш. шк., М. (1982). С. 248
В.Е. Лошкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в фотопроводниках. Наук. думка, Киев (1981). С. 95
Г.Е. Давидюк, Н.С. Богданюк. Изв. вузов. Физика 2, 19 (1984)
А.П. Галушка, Г.Е. Давидюк, В.С. Мак. ФТП 12, 2278 (1978)
Г.Е. Давидюк, А.П. Галушка, В.С. Манжара, Н.С. Богданюк. Изв. вузов. Физика 7, 37 (1980)
Ю.Н. Эмиров, С.С. Остапенко, М.А. Ризаханов, М.К. Шейнкман. ФТП 16, 1371 (1982)
И.Б. Ермолович, Г.И. Матвиевская, М.К. Шейнкман. ФТП 9, 1620 (1975)
J.H.O. Varley. J. Phys. Sol. 23, 985 (1963)
М.И. Клингер, Ч.Б. Лущик, Т.В. Машовец, Г.А. Холодарь, М.К. Шейнкман, М.А. Эланго. УФН 147, 523 (1985).
© 2017 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук