Издателям
Вышедшие номера
Неизотермическая релаксация и электроперенос в монокристаллах Ca3Ga2Ge4O14
Носенко А.Е.1, Шевчук В.Н.1
1Львовский государственный университет им. И. Франко, Львов, Украина
Поступила в редакцию: 4 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.

Впервые изучены фото- и электропроводность, токи термостимулирванной поляризации и деполяризации, диэлектрическая проницаемость и диэлектрические потери нецентросиммтрических кристаллов Ca3Ga2Ge4O14 структурного типа тригонального кальций-галлогерманата (КГГ) в интервале температур 100--700 K в воздушной среде и в вакууме. Особенности температурного поведения КГГ связываются, в частности, с влиянием электрически активных дефектов и частичного разупорядочения катионной подрешетки структуры кристалла, обусловливающих существование полярных образований (диполей) нескольких сортов. Определены некоторые параметры электропереноса и электрически активных дефектов, вызывающих эффекты поляризации и релаксации зарядов. Делается вывод о реализации дипольной релаксации в КГГ как в новом представителе класса материалов, в котором реориентация диполей как системы подвижных локальных искажений структуры существенно влияет на физические свойства.
  • A.A. Kaminskii, E.L. Belokoneva, B.V. Mill, Yu.V. Pisarevskii, S.E. Sarcisov, L.M. Silvestrova, A.V. Butashin, G.G. Khodzhaguan. Phys. Stat. Sol. (a) 86, 1, 345 (1984).
  • А.П. Войтович, А.Е. Носенко, А.Г. Базылев, В.С. Клинов, В.В. Кравчишин, Р.Е. Лещук. ЖПС 59, 4, 705 (1989)
  • J. Azkargorta, I. Iparraguirre, R. Balda, J. Fernandez, A. Kaminskii. J. de Phys. IV, 4, 4, C4-353 (1994)
  • A.E. Nosenko, R.Ye. Leshchuk, V.V. Kravchishin. Ibid, C4-455.
  • А.Е. Носенко, Р.Е. Лещук, В.В. Кравчишин. УРЖ 35, 9, 1315 (1990)
  • A.E. Nosenko, V.N. Shevchuk. Charge transfer phenomena in complex oxide crystals. XIII Int. Symposium on the reactivity of solids ISRS-13. Hamburg University (September 8-12, 1996). Hamburg, Germany (1996). Abstr. P. 3-PO-205
  • A.E. Nosenko, V.N. Shevchuk. Electret effects in complex oxide crystals. 9th Int. Symposium of Electrets ISE-9. Tongji University (25-30 September 1996). Shanghai, China (1996). Abstr. P. 3B-P-23
  • А.Е. Носенко, В.Н. Шевчук. ЖТФ 63, 8, 69 (1993)
  • А.Е. Носенко, В.Н. Шевчук. УФЖ 30, 1, 1546 (1985)
  • А.Е. Носенко, В.Н. Шевчук, А.В. Гальчинский. ФТТ 29, 2, 620 (1987)
  • Ю.А. Гороховатский, Г.А. Бордовский. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков. Наука, М. (1991). 248 с
  • В.М. Фридкин. Физические основы электрофотографического процесса. Энергия, М.-Л. (1966). 288 с
  • И.С. Желудев. Физика кристаллических диэлектриков. Наука, М. (1968). 464 с
  • А.А. Потапов. Диэлектрический метод исследования вещества. Изд-во Иркут. ун-та, Иркутск (1990). 256 с
  • И.Ю. Клугман. Электрохимия 32, 3, 382 (1996)
  • И.С. Рез, Ю.М. Поплавко. Диэлектрики. Основные свойства и применения в электронике. Радио и связь, М. (1989). 288 с
  • О.Г. Влох, А.Е. Носенко, Р.В. Гамерник, А.И. Билый. Кристаллография 29, 4, 800 (1984)
  • A.E. Nosenko, V.N. Shevchuk. Rad. Eff. Def. Sol. 134, 1--4, 251 (1995)
  • Физика и спектроскопия лазерных кристаллов / Под ред. А.А. Каминского. Наука, М. (1986). 272 с
  • F. Luty. In: Defects in insulating crystals. Proc. of the Int. Conf. Riga (May 18--23 1981) / Ed. V.M. Tuchkevich and K.K. Shvarts. Zinatne, Riga, Springer-Verlag, Berlin--Heidelberg--N.-Y. (1981). P. 69--89
  • И.Н. Гейфман, И.В. Козлова, Т.В. Синько. ФТТ 36, 2, 284 (1994)
  • М.Д. Глинчук, В.А. Стефанович. ФТТ 37, 1, 137 (1995)
  • В.Б. Калинин. Неорган. материалы 35, 5, 604 (1995)
  • В.В. Леманов, Н.В. Зайцева, Е.П. Смирнова, П.П. Сырников. ФТТ 37, 6, 1854 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.