Экспериментально и теоретически исследовано влияние механических напряжений на магнитоупругие свойства - магнитострикцию и тепловое расширение - ян-теллеровского кристалла TmVO₄ в области структурного фазового перехода. Показано, что магнитоупругие свойства TmVO₄ для магнитного поля H||[001], не вызывающего изменение доменного состояния образца, достаточно хорошо описываются при учете механических напряжений в кристалле с параметром P~0.5 cm^-1. Наоборот, для магнитного поля вдоль направления спонтанной деформации [110] магнитоупругие свойства обусловлены в основном переориентацией ян-теллеровских доменов и эффектами ближнего порядка. Показано, что "истинная" магнитострикция монодоменного кристалла для H|| [110], расходится в точке фазового перехода T_c=2.15 K в отсутствие механических напряжений и сильно уменьшается под действием напряжений.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.