Исследованы спектры низкотемпературной фотолюминесценции (ФЛ) и возбуждения ФЛ (ВФЛ) полупроводниковых сверхрешеток (СР) GaAs/AlGaAs, отличающихся шириной потенциальных барьеров (b=20, 30, 50 и 200 Angstrem), т. е. степенью туннельной связи между квантовыми ямами (КЯ), в магнитном поле напряженностью до 5 T, ориентированном параллельно и перпендикулярно слоям структуры. Наблюдаемые в параллельном магнитном поле изменения качественного характера в спектрах ВФЛ при увеличении туннельной прозрачности барьеров отражают переход от квазидвумерного к квазитрехмерному электронному спектру при формировании минизон в СР. В спектрах ВФЛ СР с b=50 Angstrem при увеличении напряженности параллельного магнитного поля обнаружено возникновение новой линии, отсутствующей в перпендикулярном поле, на фиолетовом крыле линии возбуждения пространственно-непрямых экситонов. Возгорание аналогичной линии также наблюдалось в спектрах ФЛ. Показано, что линия люминесценции непрямых экситонов может подавляться магнитным полем как параллельной, так и перпендикулярной ориентации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.