Вышедшие номера
Неразрушающий метод диагностики глубоких уровней в полуизолирующих материалах
Ильичев Э.А.1
1Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 18 июля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.

Обсуждается оригинальный неразрушающий метод локальной диагностики глубоких уровней (РОСГУ) в полуизолирующих материалах, основанный на бесконтактной регистрации процессов релаксации электронно-дырочной и ловушечной систем. Он позволяет определять тип, энергию и сечение захвата глубоких энергетических центров, а также устанавливать их распределение по пластине. Метод РОСГУ эффективен для входного, межоперационного и выходного контроля подложек и арсенидгаллиевых структур и в отличие от DLTS не нуждается в изготовлении на образцах измерительных электродов.
  1. H.Ch. Alt, H. Schink, G. Rackeiser // 5th Conf. on Semi-insulating III--V Materials. Malmo (Sweden), 1988. Ch. 1. P. 512--520
  2. Drummond T.J., Kopp W., Fischer R. et al. // IEEE Electron. Dev. 1983. Vol. ED-30. N 12. P. 1806--1811
  3. Valoits A.J., Robinson G.Y., Lee K., Shur M.S. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1983. Vol. 1. N 2. P. 190--195
  4. Виноградов Е.Л., Дьяченко А.Г., Ильичев Э.А. и др. // Микроэлектроника. 1991. Т. 20. N 2. С. 137--141
  5. Gatos H.C., Lagowski J., Kazior T.E. // Jap. J. Appl. Phys. 1983. Vol. 22. P. 11--19
  6. Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. М.: Наука, 1986. С. 143
  7. Гергель В.А., Ильичев Э.А., Лукьянченко А.И., Полторацкий Э.А. // ФТП. 1992. Т. 26. Вып. 5. С. 794--800
  8. Ильичев Э.А., Онищенко В.А., Полторацкий Э.А. и др. Тез. докл. Российской конф. "Микроэлектроника-94". Звенигород, 1994. Ч. 2. С. 387--388
  9. Ильичев Э.А., Лукьянченко А.И. А.С. N 2079853. БИ. М., 1997. N 9714
  10. Ильичев Э.А., Полторацкий Э.А., Рычков Г.С., Хайновский В.И. // Тез. докл. II Междунар. научно-техническая конф. "Микроэлектроника и информатика". М.; Зеленоград, 1997, N 2. С. 251--257
  11. Ильичев Э.А., Полторацкий Э.А., Рычков Г.С., Хайновский В.И. // Микроэлектроника. 1996. Т. 25. N 5. С. 363--369.
  12. Ильичев Э.А., Ступак М.Ф. // Электрон. пром-сть. 1996. N 2. С. 3--11

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.