Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2006, выпуск 9 » Статья стр. 1693
<<<>>>
Отражение и поглощение света широкой квантовой ямой при наличии двух близких уровней возбуждения
Ланг И.Г.1, Коровин Л.И.1, Павлов С.Т.2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Facultad de Fisica de la UAZ, Apartado Postal C-580, Zacatecas, Mexico
3Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: korovin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 ноября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.
PDF версия
Вычислены спектры отражения и поглощения монохроматического света полупроводниковыми квантовыми ямами (КЯ), ширина которых сравнима с длиной волны возбуждающего излучения. Рассмотрен случай резонанса с двумя близко расположенными возбужденными уровнями. Эти уровни могут возникнуть благодаря расщеплению энергии электронно-дырочной пары из-за магнетополяронного эффекта, если КЯ помещена в сильное магнитное поле, направленное перпендикулярно плоскости КЯ. Показано, что в отличие от случая узких КЯ коэффициенты отражения и поглощения света зависят от ширины КЯ. Теория применима при любых соотношениях величин обратных радиационных и нерадиационных времен жизни электронных возбуждений. PACS: 78.67.De, 78.20.Ci, 73.21.Fg
  1. H. Ztolz. Time resolved light scattering from excitons. Springer tracts in modern physics. Springer, Berlin (1994)
  2. J. Shah. Ultrafast spectroscopy of semiconductors and semiconductor nanostructures. Springer, Berlin (1996)
  3. H. Hang, S.W. Koch. Quantum theory of the optical and electronic properties of semiconductors, World Scientific (1993)
  4. Л.Е. Воробьев, Е.Л. Ивченко, Д.А. Фирсов, В.И. Шалыгин. Оптические свойства наноструктур. Наука, СПб (2001)
  5. E.J. Johnson, D.M. Larsen. Phys. Rev. Lett. 16, 15, 655 (1966)
  6. И.Г. Ланг, Л.И. Коровин, С.Т. Павлов. ФТТ 47, 9, 1704 (2005); Cond-mat/0411692; S.T. Pavlov, I.G. Lang, L.I. Korovin. 13th Int. Symp. "Nanostructures: physics and technology". St. Petersburg, Russia (2005). P. 416
  7. L.C. Andreani, F. Tassone, F. Bassani. Solid State Commun. 77, 19, 641 (1991)
  8. Е.Л. Ивченко. ФТТ 33, 8, 2388 (1991)
  9. Е.Л. Ивченко, А.В. Кавокин. ФТТ 34, 6, 1815 (1992)
  10. L.C. Andreani. In: Confined electrons and photons / Eds E. Burstein, C. Weisbuch. Plenum Press, N. Y. (1995). P. 57
  11. F. Tassone, F. Bassani, L.C. Andreani. Phys. Rev. B 45, 11, 6023 (1992)
  12. T. Stroucken, A. Knorr, C. Anthony, P. Thomas, S.W. Koch, M. Koch, S.T. Gundiff, J. Feldman, E.O. Gobel. Phys. Rev. Lett. 74, 9, 2391 (1995)
  13. T. Stroucken, A. Knorr, P. Thomas, S.W. Koch. Phys. Rev. B 53, 4, 2026 (1996)
  14. M. Hubner, T. Kuhl, S. Haas, T. Stroucken, S.W. Koch, R. Hey, K. Ploog. Solid State Commun. 105, 2, 105 (1998)
  15. L.C. Andreani, G. Panzarini, A.V. Kavokin, M.R. Vladimirova. Phys. Rev. B 57, 8, 4670 (1998)
  16. I.G. Lang, V.I. Belitsky, M. Cardona. Phys. Stat. Sol. (a) 164, 1, 307 (1997)
  17. I.G. Lang, V.I. Belitsky. Phys. Lett. A 245, 3--4, 329 (1998)
  18. I.G. Lang, V.I. Belitsky. Solid State Commun. 107, 10, 577 (1998)
  19. Л.И. Коровин, И.Г. Ланг, Д.А. Контрерас-Солорио, С.Т. Павлов. ФТТ 42, 12, 2230 (2000); Cond-mat/0006364
  20. D.A. Contreras-Solorio, S.T. Pavlov, L.I. Korovin, I.G. Lang. Phys. Rev. B 62, 24, 16 815 (2000); Cond-mat/0002229
  21. И.Г. Ланг, Л.И. Коровин, Д.А. Контрерас-Солорио, С.Т. Павлов. ФТТ 43, 6, 1117 (2001); Cond-mat/0004178
  22. Л.И. Коровин, И.Г. Ланг, Д.А. Контрерас-Солорио, С.Т. Павлов. ФТТ 43, 11, 2091 (2001); Cond-mat/0104262
  23. Л.И. Коровин, И.Г. Ланг, Д.А. Контрерас-Солорио, С.Т. Павлов. ФТТ 44, 9, 1681 (2002); Cond-mat/0203390
  24. И.Г. Ланг, Л.И. Коровин, Д.А. Контрерас-Солорио, С.Т. Павлов. ФТТ 44, 11, 2084 (2002); Cond-mat/0001248
  25. И.Г. Ланг, Л.И. Коровин, С.Т. Павлов. ФТТ 46, 9, 1706 (2004); Cond-mat/0311180
  26. J.M. Luttinger, W. Kohn. Phys. Rev. 97, 4, 869 (1955)
  27. М. Цидильковский. Зонная структура полупроводников. Наука, М. (1978)
  28. I.G. Lang, V.I. Belitsky, A. Cantarero, L.I. Korovin, S.T. Pavlov, M. Cardona. Phys. Rev. B 54, 24, 17 768 (1996)
  29. A. Garsia-Cristobal, A. Cantarero, C. Trallero-Giner. Phys. Rev. B 49, 19, 13 430 (1994)
  30. И.В. Лернер, Ю.Е. Лозовик. ЖЭТФ 78, 3, 1167 (1980)
  31. Л.И. Коровин, И.Г. Ланг, С.Т. Павлов. ЖЭТФ 118, 2( 8), 388 (2000)
  32. Л.И. Коровин, И.Г. Ланг, Д.А. Контрерас-Солорио, С.Т. Павлов. ЖЭТФ 115, 1, 187 (1999)
  33. P.Y. Yu, M. Cardona. Fundamentals of semiconductors. Springer, Berlin (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme