Издателям
Вышедшие номера
Роль пространственного распределения локальных возмущений поляризованности в формировании позисторного эффекта
Павлов А.Н.1, Раевский И.П.1, Сахненко В.П.1
1Научно-исследовательский институт физики Ростовского-на-Дону государственного университета, Ростов-на-Дону, Россия
Поступила в редакцию: 3 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2000 г.

В поликристаллических полупроводниках-сегнетоэлектриках электросопротивление определяется потенциальными барьерами, обусловленными наличием на границах кристаллитов заряженных локальных поверхностных состояний. Экранирование этих барьеров зависит от состояния сегнетоэлектрической системы и достигает максимального значения, когда происходит переполяризация спонтанной поляризованности. В работе показано, что образующееся при этом локальное возмущение сегнетоэлектрической системы в виде доменной стенки между областями с разными направлениями поляризованности имеет зигзагообразную конфигурацию. Электрическое поле в области зигзагообразной доменной стенки стабилизировано и равно коэрцитивному, что и обеспечивает малую величину потенциальных барьеров в сегнетоэлектрической фазе по сравнению с параэлектрической. В результате в области перехода из сегнетоэлектрической фазы в параэлектрическую, когда переполяризационные процессы перестают участвовать в экранировании потенциальных барьеров, наблюдается явление резкого увеличения электросопротивления, называемое позисторным эффектом.
  • W. Heywang. J. Amer. Ceram. Soc. 47, 10, 484 (1964)
  • А.Н. Павлов. ФТТ 36, 3, 579 (1994)
  • В.М. Фридкин. Сегнетоэлектрики-полупроводники. Наука, М. (1976). 408 с
  • Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, Н.Н. Крайник, Р.Е. Пасынков, М.С. Шур. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Наука, Л. (1971). 476 с
  • Е.Г. Фесенко, В.Г. Гавриляченко, А.Ф. Семенчев. Доменная структура многоосных сегнетоэлектрических кристаллов. Изд-во РГУ, Ростов-на-Дону. (1990). 192 с
  • Е.Г. Фесенко, В.Г. Гавриляченко, М.А. Мартыненко, А.Ф. Семенчев. Изв. АН СССР. Сер. физ. 39, 4, 762 (1975)
  • Г.Н. Дульнев, В.В. Новиков. Процессы переноса в неоднородных средах. Энергоатомиздат, Л. (1991). 248 с
  • Л.П. Холоденко. Термодинамическая теория сегнетоэлектриков типа BaTiO-=SUB=-3-=/SUB=-. Знание, Рига (1971). 227 с
  • W.J. Merz. Phys. Rev. 76, 1221 (1949)
  • H.H. Wieder. J. Appl. Phys. 26, 1479 (1955)
  • Полупроводники на основе титаната бария. Энергоиздат., М. (1982). 328 с
  • И.П. Раевский, Е.И. Бондаренко, А.Н. Павлов, О.И. Прокопало, П.Ф. Тарасенко. ФТТ 26, 4, 1219 (1984)
  • S. Triebwasser. Phys. Rev. 101, 3, 993 (1956)
  • И.П. Раевский, Е.И. Бондаренко, А.Н. Павлов, О.И. Прокопало, П.Ф. Тарасенко. ЖТФ 55, 3, 603 (1985)
  • G.T. Mallik, P.R. Emtage. J. Appl. Phys. 39, 6, 3088 (1968)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.