Издателям
Вышедшие номера
Электростатическая модель изменения энергетической щели и формы линии фотолюминесценции 2D слоя GaAs/AlGaAs при высоком уровне возбуждения
Поклонский Н.А.1, Сягло А.И.1
1Белорусский государственный университет, Минск, Белоруссия
Email: Poklonski@phys.bsu.unibel.by
Поступила в редакцию: 28 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.

Развита электростатическая модель расчета сужения запрещенной зоны (щели) полупроводникового 2D слоя (квантовой ямы), вызванного кулоновским взаимодействием неравновесных носителей заряда. Рассматриваются только первые энергетические уровни размерного квантования для электронов и тяжелых дырок. Впервые при расчете обменной и корреляционной энергий учтены флуктуации потенциальной энергии носителей заряда вдоль 2D слоя, создаваемые самими электронами и дырками. Получено выражение для экранированного кулоновского потенциала вдоль 2D слоя, которое в приближении предельно узкой квантовой ямы переходит в известное. Дан расчет сужения энергетической щели и формы линии фотолюминесценции 2D слоя GaAs в матрице AlxGa1-xAs в зависимости от концентрации неравновесных электронов и дырок. Рассчитанные значения сужения запрещенной зоны согласуются с известными экспериментальными данными при высоком уровне фотовозбуждения квантовой ямы, когда электроны и дырки образуют 2D плазму. Работа частично поддержана грантом БРФФИ N Ф97-246.
  • S. Schmitt-Rink, D.S. Chemla, D.A.B. Miller. Adv. Phys. 38, 2, 89 (1989)
  • S. Das Sarma, R. Jalabert, S.-R. Eric Yang. Phys. Rev. B41, 12, 8288 (1990)
  • Л.К. Кулик, А.И. Тартаковский, А.В. Ларионов, С.В. Боровицкая, В.Д. Кулаковский. ЖЭТФ 112, 1(6), 353 (1997)
  • R. Cingolani, K. Ploog. Adv. Phys. 40, 5, 535 (1991)
  • W. Langbein, S. Hallstein, H. Kalt, R. Notzel, K. Ploog. Phys. Rev. B51, 3, 1946 (1995)
  • О.В. Волков, Е.В. Житомирский, И.В. Кукушкин, В.Е. Бисти, К. фон Клитцинг, К. Эберл. Письма в ЖЭТФ 66, 11, 730 (1997)
  • Н.А. Поклонский, А.И. Сягло, Ф.Н. Боровик. ФТП 30, 10, 1767 (1996)
  • Н.А. Поклонский, А.И. Сягло. ЖПС 64, 3, 367 (1997)
  • P.Y. Yu, M. Cardona. Fundamentals of Semiconductors. Physics and materials properties. Springer, Berlin et al. (1999). 620 p. Ch. 9
  • И.А. Меркулов, А.В. Родина. ФТП 28, 2, 321 (1994)
  • J.M. Luttinger. Phys. Rev. 42, 4, 1030 (1956)
  • A. Franceschetti, A. Zunger. Phys. Rev. B52, 20, 14 664 (1995)
  • Н.А. Поклонский, А.И. Сягло. Труды 3-й конф. по лазерной физике и спектроскопии. Гродно, Минск (1997). Т. 1. С. 354
  • N.A. Poklonski, A.I. Siaglo. In: Physics, Chemistry and Application of Nanostructures / Ed. by V.E. Borisenko et al. World Scientific, Singapore (1997). P. 125
  • V.K. Kononenko, D.V. Ushakov. Phys. Stat. Sol. B211, 2, 743 (1999)
  • А.Я. Шик. ФТП 29, 8, 1345 (1995)
  • В. Вайскопф. УФН 103, 1, 155 (1971)
  • А.Б. Шмидт. Статистическая термодинамика классической плазмы. Энергоатомиздат, М. (1991). 119 с
  • A. Isihara. Electron Liquids. Springer, Berlin et al. (1998). 317 p
  • Н.С. Рытова. Вестн. МГУ. Физика, астрономия 3, 30 (1967)
  • Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем. Мир, М. (1985). C. 28. [Пер. с англ.: T. Ando, A. Fowler, F. Stern. Rev. Mod. Phys. 54, 2, 437 (1982)]
  • Н. Ашкрофт, Н. Мермин. Физика твердого тела. Мир, М. (1979). Т. 1. C. 334. [Пер. с англ.: N.W. Ashcroft, N.D. Mermin. Solid State Physics. Rinehart and Winston, N. Y., Holt (1976). V. 1]
  • О.В. Константинов, О.И. Оболенский, Б.В. Царенков. ФТП 31, 5, 571 (1997)
  • А.В. Чаплик. ЖЭТФ 60, 5, 1845 (1971)
  • В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Наука, М. (1990). 688 с. Гл. 19
  • А.П. Леванюк, В.В. Осипов. УФН 133, 3, 427 (1981)
  • Ю.Я. Ткач. ЖЭТФ 101, 203 (1992)
  • А. Афоненко, В.К. Кононенко, И.С. Манак, В.А. Шевцов. ФТП 31, 9, 1087 (1997)
  • Semiconductors-Basic Data / Ed. by O. Madelung. Springer, Berlin et al. (1996). 317 p
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.