Издателям
Вышедшие номера
Радиационно-стимулированная импульсная проводимость щелочно-галоидных кристаллов с решеткой типа NaCl
Адуев Б.П.1, Алукер Э.Д.1, Швайко В.Н.1, Фомченко В.М.1
1Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
Email: lira@kemsu.ru
Поступила в редакцию: 15 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

Проведено измерение температурной зависимости испульсной проводимости sigma щелочно-галоидных кристаллов с решеткой типа NaCl при различных плотностях возбуждения j электронным пучком пикосекундной длительности. Показано, что увеличение j приводит к ослаблению зависимости sigma(T). Этот эффект связывается с перекрытием волновых функций центров рекомбинации и уменьшением энергии активации разделения генетических электронно-дырочных пар. Работа выполнена при поддержке гранта МО и ПО РФ.
  • Б.П. Адуев, Г.М. Белокуров, В.Н. Швайко. ФТТ 37, 8, 2537 (1995)
  • Б.П. Адуев, В.Н. Швайко. ФТТ 41, 7, 1200 (1999)
  • Б.П. Адуев, В.М. Фомченко, В.Н. Швайко. ФТТ 41, 3, 429 (1999)
  • Э.Д. Алукер, Д.Ю. Лусис, С.А. Чернов. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов. Зинатне, Рига (1979). 251 c
  • R.K. Ahrenkiel, F.C. Brown. Phys. Rev. A36, 1, 223 (1964)
  • C.H. Seager, D. Emin. Phys. Rev. B2, 8, 3421 (1970)
  • Р. Смит. Полупроводники. Мир, М. (1982) 558 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.