Издателям
Вышедшие номера
Механизм возникновения электродвижущей силы при нагревании монокристаллов SmS
Каминский В.В.1, Васильев Л.Н.1, Романова М.В.1, Соловьев С.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Vladimir.Kaminski@shuvpop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 16 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2001 г.

На основании экспериментальных данных по изменению концентрации электронов проводимости при повышении температуры и теоретического рассмотрения ситуации в рамках модели мелкого примесного уровня показано, что в основе возникновения эффекта генерации электродвижущей силы в монокристаллах полупроводникового сульфида самария лежит накопление критической концентрации свободных электронов, приводящей к экранированию кулоновского потенциала примесных ионов Sm2+, ответственных за образование в запрещенной зоне донорных уровней с энергией активации 0.045 eV. Работа поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований N 00-02-16947.
  • В.В. Каминский, С.М. Соловьев. ФТТ 43, 3, 39 (2001)
  • В.В. Каминский, В.А. Капустин, И.А. Смирнов. ФТТ 22, 12, 3568 (1980)
  • В.В. Каминский, Н.Н. Степанов, Л.Н. Васильев, Ю.Н. Харченко, И.А. Смирнов. ФТТ 27, 1, 77 (1985)
  • М.М. Казанин, В.В. Каминский, С.М. Соловьев. ЖТФ 70, 5, 136 (2000)
  • Л.Н. Васильев, В.В. Каминский. ФТТ 36, 4, 1172 (1994)
  • V. Zelezny, J. Petzelt, V.V. Kaminski, M.V. Romanova, A.V. Golubkov. Solid State Commun. 72, 1, 43 (1989)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979)
  • А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников. Наука, М. (1978)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.