Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2001, выпуск 2 » Статья стр. 61
<<<>>>
Теория планарно-неоднородного МОП транзистора в области слабой инверсии. Методика определения поверхностных параметров
Бормонтов Е.Н.1, Левин М.Н.1, Вялых С.А.1, Борисов С.Н.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Email: levin@lev.csu.ru
Поступила в редакцию: 8 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.
PDF версия
Представлена модификация известной модели вольт-амперных характеристик Оверстратена и др. [1] для МОП транзистора в области слабой инверсии, учитывающая планарную неоднородность поверхностного потенциала полупроводника. Предложена простая и удобная методика определения спектральной плотности поверхностных состояний и флуктуационного параметра по выходным (сток-стоковым) и передаточным (сток-затворным) однопороговым вольт-амперным характеристикам. Дополнительное измерение порогового напряжения МОП транзистора дает возможность рассчитать эффективный заряд окисла. Методика позволяет определять указанные поверхностные параметры МОП транзисторов с достаточно хорошей точностью и удобна для тестового контроля интегральных микросхем.
  1. Van Overstraeten R.J., Declerck G.J., Muls P.A. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1975. Vol. ED-22. N 5. P. 282--288
  2. Van Overstraeten R.J., Declerck G.J., Broux G. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1973. Vol. ED-20. N 12. P. 1154--1158
  3. Swanson R.M., Meindl J.D. // IEEE J. Solid-State Circuits. 1972. Vol. SG-7, N 4. P. 140--153
  4. Nicollian E.H., Goetzberger A. // Bell System Techn. J. 1967. Vol. 46. N 5. P. 1055--1133
  5. Brews J.R. // J. Appl. Phys. 1975. Vol. 46. N 5. P. 2181--2192
  6. Werner C., Bernt H., Eder A. // J. Appl. Phys. 1970. Vol. 50. N 11. P. 7015--7019
  7. Zeigler K., Klausmann E. // Appl. Phys. Lett. 1976. Vol. 28. N 1. P. 678--681
  8. Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits / Ed. T.P. Ma, P.V. Dressendorfer. New York: Wiley Interscience, 1989. 760 p
  9. Terletzki H., Boden A., Wulf F., Fahner W.R. // Phys. St. Sol. (a). 1984. Vol. 86. N 8. P. 789--794
  10. Freitag R.K., Burke E.A., Brown D.B. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1987. Vol. 34. N 6. P. 1172--1177
  11. Saks N., Ancona M.G. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1987. Vol. 34. N 6. P. 1348--1354
  12. Xapsos M.A., Freitag R.K., Dozier C.M., Brown D.B. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1990. Vol. 37. N 6. P. 1671--1681
  13. Freitag R.K., Byrke E.A., Dozier C.M., Brown D.B. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1988. Vol. NS-35. N 6. P. 1203--1207
  14. McWhorter P.J., Winokur P.S. // Appl. Phys. Lett. 1986. Vol. 48. N 2 P. 133--135
  15. Fleetwood D.M., Shaneyfelt M.R., Schwank J.R. et al. // IEEE Trans. Nucl. Phys. 1989. Vol. 36. N. 6. P. 1816--1824
  16. Shanfield Z., Moriwaki M.M. // IEEE Trans. Nucl. Phys. 1987. Vol. 34. N 6. P. 1159--1165
  17. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Т. 2. 456 с
  18. Bormontov E.N., Lukin S.V. // Proc. 5th Intern. Conf. on Simulation of Devices and Technologies. Obninsk, 1996. P. 35--39
  19. Van Overstraeten R.J., Declerk G.J., Broux G. // IEEE Trans. Electron. Devices. 1973. Vol. ED-20. N 12. P. 1150--1153

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme