Издателям
Вышедшие номера
Диэлектрический отклик эпитаксиальных пленок Ba0.75Sr0.25TiO3 на электрическое поле и температуру
Бойков Ю.А.1, Эртс Д.2, Клаесон Т.2, Бойков А.Ю.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Чалмерский технический университет, Гетеборг, Швеция
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 января 2002 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2002 г.

Исследованы структура и диэлектрические параметры промежуточного сегнетоэлектрического слоя в гетероструктуре (001)SrRuO3\|(100)Ba0.75Sr0.25TiO3\|(001)SrRuO3, выращенной методом лазерного испарения на (001)La0.294Sr0.706Al0.647Ta0.353O3. Растягивающие механические напряжения обусловили преимущественную ориентацию полярной оси в сегнетоэлектрике параллельно плоскости подложки. Остаточная поляризация в слое Ba0.75Sr0.25TiO3 примерно линейно возрастала с понижением температуры в интервале 320-200 K. Реальная часть диэлектрической проницаемости промежуточного сегнетоэлектрического слоя достигала своего максимального значения varepsilon'/varepsilon0=4400 при TM~285 K (f=100 kHz). Резкий пик на температурной зависимости тангенса угла диэлектрических потерь для сегнетоэлектрического слоя Ba0.75Sr0.25TiO3 наблюдался при T<TM и сдвигался в сторону низких температур при понижении частоты и увеличении напряжения смещения, поданного на электроды. Исследования выполнены в рамках научного сотрудничества между Российской и Шведской королевской академиями наук. Финансовая поддержка работы частично осуществлялась в рамках проекта N 4Б19 Министерства науки Российской Федерации.
  • C.S. Hwang. Mater. Sci. Eng. B56, 178 (1998)
  • J.P. Hong, J.S. Lee. Appl. Phys. Lett. 68, 3034 (1996)
  • J.-G. Cheng, X.-J. Meng, J. Tang, S.-L. Guo, J.-H. Chu. Appl. Phys. Lett. 75, 3402 (1999)
  • Yu.A. Boikov, Z.G. Ivanov, A.N. Kiselev, E. Olsson, T. Claeson. J. Appl. Phys. 78, 4591 (1995)
  • B. Nagaraj, T. Sawhney, S. Perusse, S. Aggarwal, V.S. Kaushik, S. Zafar, R.E. Jones, J.-H. Lee, V. Balu, J. Lee. Appl. Phys. Lett. 74, 3194 (1999)
  • L.J. Sinnamon, R.M. Bowman, J.M. Gregg. Appl. Phys. Lett. 78, 1724 (2001)
  • Ю.А. Бойков, Т. Клаесон. ФТТ 43, 2170 (2001)
  • Б.М. Гольцман, Ю.А. Бойков, В.А. Данилов. ФТТ 43, 874 (2001)
  • Yu.A. Boikov, T. Claeson. Physica C336, 300 (2000)
  • Ю.А. Бойков, Т. Клаесон. ФТТ 43, 323 (2001)
  • J.-P. Maria, H.L. McKinstry, S. Trolier-McKinstry. Appl. Phys. Lett. 76, 3382 (2000)
  • A.D. Hilton, B.W. Rickkets. J. Phys. D: Appl. Phys. 29, 1321 (1996)
  • A. von Hippel. Rev. Mod. Phys. 22, 221 (1950)
  • E.D. Specht, R.E. Clausing, L. Heatherly. J. Mater. Res. 5, 3251 (1999)
  • D. Fuchs, M. Adam, P. Schweiss, S. Gerhold, S. Schuppler, R. Schneider. J. Appl. Phys. 88, 1844 (2000)
  • Ю.А. Бойков, Т. Клаесон, А.Ю. Бойков. ЖТФ 71, 10, 54 (2001)
  • A. Seifert, F.F. Lange, L.S. Speck. J. Mater. Res. 16, 680 (1995)
  • Yu.A. Boikov, T. Claeson. Supercond. Sci. Technol. 12, 654 (1999)
  • Yu.A. Boikov, T. Claeson. Appl. Phys. Lett. 79, 2052 (2001)
  • Н.П. Богородицкий, Ю.М. Волокобинский, А.А. Воробьев, Б.М. Тареев. Теория диэлектриков. М.-Л. (1965). 344 с
  • J.R. Yeargan, H.L. Taylor. J. Appl. Phys. 39 , 5600 (1968)
  • J.-H. Lee, R. Mohammedali, J.H. Han, V. Balu, S. Gopalan, C.-H. Wong, J.-C. Lee. Appl. Phys. Lett. 75, 1455 (1999)
  • C. Kittel. Introduction to Solid State Physics. 3rd ed. John Willey\&Sons, Inc., N. Y. (1966). P. 392
  • W. Kleemann, H. Schremmer. Phys. Rev. B40, 7428 (1989)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.