Поглощение света и лазерное усиление в квантовых ямах рассчитаны с учетом сильного кулоновского взаимодействия между носителями заряда с использованием кумулянтных разложений и флуктуационно-диссипационной теоремы. Показано, что многоплазмонные переходы сглаживают спектр поглощения и смещают его порог в длинноволновую область. Теоретические спектры усиления согласуются с экспериментальными данными. Величина усиления g=50 cm-1 в квантовых ямах In0.05Ga0.95As достигается при поверхностной плотности электронов nd0=1.64·1012 cm-2.
H. Haug, S.W. Koch. Quantum Theory of the Optical and Electronic Properties of Semiconductors. 2nd ed. World Scientific (1993)
W.W. Chow, S.W. Koch, M. Sargent. Semiconductors Laser Physics. Springer, Berlin--Heidelberg (1994)
M. Kira, W. Hoyer, S.W. Koch. Phys. Stat. Sol. (b) 238, 3, 443 (2003)
G. Bastard. Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures. Ed. de Phys. Lesulis (1988)
A. Shik. Quantum Wells. World Scientific (1988)
A.A. Klyukanov, N.A. Loiko, I.V. Babushkin, V. Gurau. Proc. SPIE 4748, 301 (2002)
A.A. Klyukanov, N.A. Loiko, I.V. Babushkin. Laser Phys. 11, 3, 318 (2001)
В.С. Вавилов, А.А. Клюканов, К.Д. Сушкевич, М.В. Чукичев, А.З. Ававдех, Р.Р. Резванов. ФТТ 41, 7, 1176 (1999)
В.С. Вавилов, А.А. Клюканов, К.Д. Сушкевич, М.В. Чукичев, А.З. Ававдех, Р.Р. Резванов. ФТТ 43, 5, 776 (2001)
А.А. Клюканов. ФТТ 29, 7, 1529 (1987)
C. Ellmers, M. Hofmann, W.W. Ruhle, A. Girndt, F. Jahnke, W.W. Chow, A. Knorr, S.W. Koch, C. Hanke, L. Korte, C. Hoyler. Phys. Stat. Sol. (b) 206, 407 (1998)
I.H. Burnett, H.H. Cheong, W. Paul, P.F. Hopkins, A.S. Gossard. Phys. Rev. B 48, 11, 7940 (1993)
H. Fritze, W. Chen, A.V. Nurmiko, J. Jo, M. Santos, A. Sheyegan. Phys. Rev. B 48, 20, 15 103 (1993)
I.H. Bunett, H.H. Cheong, W. Paul, P.F. Hopkins, E.G. Gwinn, A.I. Rinberg, R.M. Westervelt, M. Sundaram, A.S. Gossard. Phys. Rev. B 43, 14, 12 033 (1991)