Издателям
Вышедшие номера
Техника проектирования для анализа заселенностей атомных орбиталей в кристаллах
Тупицын И.И.1, Эварестов Р.А.1, Смирнов В.П.2
1Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петродворец, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
Email: evarest@hm.csa.ru
Поступила в редакцию: 28 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.

Проведен сравнительный анализ одноэлектронной матрицы плотности кристалла в базисе локализованных орбиталей, полученной в двух вариантах техники проектирования: A --- проектирование кристаллических орбиталей на пространство атомных орбиталей и B --- проектирование атомных функций на пространство кристаллических орбиталей. Предложено упрощение метода B, позволяющее избежать при его реализации трудоемких расчетов с большим числом вакантных кристаллических орбиталей. В рамках обоих методов выполнены расчеты локальных характеристик (атомные заряды и ковалентности, порядки связей) электронной структуры ряда кристаллов (Si, SiC, GaAs, MgO, кубический BN и TiO2 в структуре рутила) методом функционала плотности, в обобщенном градиентном приближении, в базисе плоских волн и с использованием сохраняющих норму псевдопотенциалов. Установлено, что оба варианта техники проектирования приводят к близким результатам для локальных характеристик электронной структуры. Для кристалла TiO2 в структуре рутила проведено сравнение локальных характеристик электронной структуры, полученных на основе техники проектирования и с помощью построения вариационным методом функций Ваннье атомного типа (ФВАТ) в минимальном валентном базисе на основе расчета кристаллических орбиталей в приближении линейной комбинации атомных орбиталей (ЛКАО). Показано, что несмотря на использование существенно различных базисов в расчетах кристаллических орбиталей (плоские волны в технике проектирования и ЛКАО в методе ФВАТ) локальные характеристики электронной структуры имеют близкие значения.
  • M.C. Payne, M.P. Teter, D.C. Alan, T.A. Arias, J.D. Joannopoulos. Rev. Mod. Phys. 64, 1045 (1992)
  • C.M. Zicovich-Wilson, A. Bert, C. Roetti, R. Dovesi, V.R. Saunders. J. Chem. Phys. 116, 1120 (2002)
  • Р.А. Эварестов, И.И. Тупицын. ФТТ 44, 1582 (2002)
  • V.P. Smironov, R.A. Evarestov, D.E. Usvyat. Int. J. Quantum Chem. 88, 642 (2002)
  • Р.А. Эварестов, Д.Е. Усвят, В.П. Смирнов. ФТТ 45, 1972 (2003)
  • R.A. Evarestov, V.P. Smirnov. Site Symmetry in Crystals: Theory and Applications. Springer Series in Solid State Sciences. Vol. 108. Springer, Berlin (1997)
  • R.A. Evarestov, V.P. Smirnov, I.I. Tupitsyn, D.E. Usvyat. Int. J. Quantum Chem. 102 (2005), to be published
  • D. Sanchez-Portal, E. Artacho, J.M. Soler. Solid State Commun. 95, 685 (1995)
  • W.C. Lu, C.Z. Wang, T.L. Chan, K. Ruedenberg, K.M. Ho. Phys. Rev. B 70, 041 101 (2004)
  • M.D. Segall, C.J. Pickard, R. Shah, M.C, Payne. Mol. Phys. 89, 571 (1996)
  • R.A. Evarestov, V.P. Smirnov, I.I. Tupitsyn, D.E. Usvyat. Phys. Stat. Sol. (b) 241, R35 (2004)
  • R.S. Mulliken. J. Chem. Phys. 23, 1833 (1955)
  • I. Mayer. Int. J. Quantum Chem. 29, 73 (1986)
  • R.A. Evarestov, V.P. Smirnov. Phys. Rev. B 70, 233 101 (2004)
  • J.S. Lin, A. Quteish, M.C. Payne, V. Heine. Phys. Rev. B 47, 4174 (1993)
  • R. Dovesi, V.R. Saunders, C. Roetti, M. Causa, N.M. Harrison, R. Orlando, E. Apra. Crystal 95 Users Manual. Torino University, Torino (1996)
  • P. Durand, J.C. Barthelat. Theor. Chim. Acta 38, 283 (1975)
  • P.O. Lowdin. Adv. Quant. Chem. 5, 185 (1970)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.