"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние облучения быстрыми ионами аргона на характеристики кремниевых планарных структур
Каратецкий С.С.1, Коровин О.П.1, Соколов В.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2001 г.

Облучение планарных структур ионами аргона с энергией 1 MeV приводит к уменьшению емкости МОП-конденсаторов и сужает область фоточувствительности p-n-переходов. Наблюдаемые эффекты объясняются спецификой нарушений, создаваемых быстрыми ионами в кристалле.
  • Jensen J., Dunlop A., Della-Negra S. // Nucl. Inst. Met. in Phys. Res. 1998. V. 146B. N 1--4. P. 399--404
  • Kaschieva S., Djakov A. // Rad. Eff. Exp. 1987. V 1. P. 115--121
  • Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир, 1974. 463 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.